Микроэлектроника меняет мир

19.10.2017

Пленарное заседание III Международного форума «Микроэлектроника-2017» прошло под девизом «Микроэлектроника меняет мир». Именно эта фраза звучала в каждом докладе. На Форум приехало свыше 400 участников из 34 городов, которые представили более 176 докладов. В мероприятиях приняли участие представители 135 предприятий и институтов, в том числе 64 генеральных директора. Во второй день работы Форума было заслушано 13 пленарных докладов и проведён круглый стол «Гражданская диверсификация предприятий ОПК. Роль микроэлектроники в создании цифровой экономики РФ».

Первым выступил с приветственным словом и докладом Почетный президент конференции «Микроэлектроника – ЭКБ и электронные модули», руководитель Межведомственного совета главных конструкторов по электронной компонентной базе РФ, академик РАН, доктор технических наук, профессор Геннадий Красников: «Наша конференция набирает популярность, становится важным событием в электронной жизни России. Я надеюсь, что после конференции, мы подведём итог, учтём все пожелания и предложения, высказанные и на пленарном заседании, и в работе секций. Есть договоренности с Минпромторгом, с рядом фондов и инвестиционных организаций. Все предложения не останутся без внимания, будут прорабатываться». Начав свой доклад с истории возникновения микроэлектроники, Г.Я. Красников в своём докладе подробно остановился на дальнейшем развитии микроэлектроники.

Первый заместитель генерального директора АО «НИИМЭ», доктор технических наук, профессор кафедры интегральной электроники и микросистем НИУ МИЭТ Николай Шелепин выпустил с докладом «Особенности элементной базы СБИС на основе КМОП КНИ технологии с полным обеднением». Он, в частности, отметил, что уровень 28 нм – последний для «обычных» планарных транзисторов. Переход к уровням 22 – 14 нм уже не мог быть реализован на «обычных» планарных МОП-транзисторах. В связи с этим мировые лидеры (Intel, TSMC, Samsung) пошли по пути не планарных транзисторов. Речь идёт о разновидности технологии так называемых трёхзатворных (Tri Gate) транзисторов, получившую название FinFET.

Директор ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН, доктор технических наук, профессор Сергей Бобков представил доклад на тему «Опыт разработки и производства микросхем промышленного назначения». Он рассказал, что ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН разработало свыше 20 различных микропроцессоров с архитектурой КОМДИВ32 и КОМДИВ64 (Мипс подобная). С.Г. Бобков подробно остановился на технических характеристиках, в частности, обратил внимание, что за 15 лет произошёл существенный рост производительности микропроцессоров КОМДИВ: уменьшение проектных норм в 8 раз, увеличение тактовой частоты в 20 раз и увеличение производительности в 50 раз!

С интересным докладом «Требования радиационной стойкости – экзотика для гурманов или гарантия наличия и технического уровня разработки для всех категорий потребителей электронной компонентной базы» выступил Председатель Совета директоров АО «ЭНПО СПЭЛС», доктор технических наук, профессор, лауреат премии правительства Российской Федерации в области науки и техники Александр Никифоров.

Радиационная стойкость (РС) – это свойство изделия сохранять работоспособность в процессе и после воздействия радиационных факторов с нормированными характеристиками. А.Ю. Никифоров заявил, что есть теорема существования: «изделие, прошедшее радиационные испытания, существует». Результат радиационных испытаний – универсальный идентификатор изделия и любое изменение влияет на радиационную стойкость. А.Ю. Никифоров подробно остановился в своём докладе на 4-х категориях радиационной стойкости изделий: гражданские, оборонного значения, бортовые и максимальный повышенный уровень радиационной стойкости.

Оживлённую дискуссию вызвал доклад «Космическая микроэлектроника: состояние, проблемы и тенденции развития», сделанный заместителем директора по науке и перспективному маркетингу ОАО «Интеграл», членом-корреспондентом НАН Беларуси, доктором технических наук, профессором Анатолием Белоусом. Он отметил, что развитие космической техники ставит перед разработчиками аппаратуры жёсткие требования – улучшение надёжности габаритно-массовых характеристик, увеличение функциональных возможностей аппаратуры и повышение сроков её активного существования. Решение этих задач требует развития научно-технического базиса, создания новых технологий, материалов и технических решений как на уровне электронных блоков, так и на уровне компонентов. Негативная тенденция – рост доли отказов, обусловленных проблемами с бортовой электроникой.

Форум организован ведущими институтами и дизайн-центрами страны: АО «НИИМА «Прогресс», АО НИИМЭ, НИУ МИЭТ.

Официальную поддержку III Международному форуму «Микроэлектроника-2017» оказывают: Департамент радиоэлектронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, госкорпорация «Ростех», холдинговая компания «Росэлектроника», Кластер передовых производственных технологий, ядерных и космических технологий «Сколково», Союз машиностроителей России и федеральная программа «Работай в России!».

Сопредседатель Оргкомитета III Международного форума «Микроэлектроника-2017», генеральный директор АО «НИИМА «Прогресс» Василий Шпак отметил: «Впервые в России проводится столь масштабный Форум по микроэлектронике, на котором представлены самые современные инновационные разработки и достижения микроэлектронной промышленности. Уверен, что прямые контакты между первыми лицами компаний, установление личных отношений между производителями аппаратуры и разработчиками даст старт стремительному формированию отечественной ЭКБ и развитию цифровой экономики в России».

Яндекс.Метрика