ИНЖЕНЕРНЫЕ РЕШЕНИЯ / 2007

№9 / 2007

Весь журнал
Стр. 16

Интеллектуальный детектор газа

Владимир Семёнов
В статье описан интеллектуальный детектор газа (метана), выполненный с использованием резистивного полупроводникового датчика. Неидеальность характеристик датчика компенсируется микроконтроллером при помощи сигналов вторичных датчиков температуры и относительной влажности.
Стр. 22

Шаговый двигатель, управляемый устройством на ПЛИС

Владимир Вычужанин
Описана схема управления шаговым электродвигателем, выполненная на основе программируемой логической интегральной схемы.

№8 / 2007

Весь журнал
Стр. 32

Драйверы силовых ключей

Георгий Волович
В статье изложены основные требования к драйверам силовых IGBT и МОП-транзисторов. Приведены схемы, обеспечивающие необходимые управляющие напряжения и защиту мощных силовых ключей. Описаны интегральные микросхемы драйверов.
Стр. 42

Схемотехника промышленных сварочных инверторов

Сергей Петров
На примерах промышленных изделий известных фирм сделан обзор схемотехники силовой части источников сварочного тока инверторного типа.

№7 / 2007

Весь журнал
Стр. 38

Импульсные источники вторичного электропитания с универсальным входом

Владимир Ланцов, Саркис Эраносян
Импульсные источники вторичного электропитания (ИВЭ) с универсальным входом способны функционировать в широком диапазоне изменения входного напряжения: сетевого переменного ~85...264 В частотой 47...440 Гц или постоянного тока 120...370 В.
В статье описываются принцип действия и особенности проектирования ИВЭ этого класса. Даны рекомендации по выбору схемотехнических решений и основных компонентов.

№2 / 2007

Весь журнал
Стр. 38

Измерение температуры p–n-переходом

Григорий Зеленов
В статье автор кратко рассматривает принцип измерения температуры, в котором в качестве датчика использован p-n-переход. Показана принципиальная возможность измерения температуры p-n-переходом в диапазоне температур -196...+100°С в токовом режиме. Приведена схема источника питания для обеспечения постоянного тока в p-n-переходе.

№1 / 2007

Весь журнал
Стр. 32

Использование транзисторов BIMOSFET™ в схемах с высоким рабочим напряжением

Наджим Хамзин
Статья описывает транзисторы BIMOSFET™ и сравнивает их с транзисторами других типов. Приводится множество электрических характеристик, позволяющих оценить и сравнить работу транзистора в статическом и динамическом режимах. Даны примеры практической реализации высоковольтных применений транзисторов BIMOSFET™ с подробным описанием схем и рекомендациями по их использованию.