ИНЖЕНЕРНЫЕ РЕШЕНИЯ / 2007

В статье описан интеллектуальный детектор газа (метана), выполненный с использованием резистивного полупроводникового датчика. Неидеальность характеристик датчика компенсируется микроконтроллером при помощи сигналов вторичных датчиков температуры и относительной влажности.

Описана схема управления шаговым электродвигателем, выполненная на основе программируемой логической интегральной схемы.

В статье изложены основные требования к драйверам силовых IGBT и МОП-транзисторов. Приведены схемы, обеспечивающие необходимые управляющие напряжения и защиту мощных силовых ключей. Описаны интегральные микросхемы драйверов.

На примерах промышленных изделий известных фирм сделан обзор схемотехники силовой части источников сварочного тока инверторного типа.

Импульсные источники вторичного электропитания (ИВЭ) с универсальным входом способны функционировать в широком диапазоне изменения входного напряжения: сетевого переменного ~85...264 В частотой 47...440 Гц или постоянного тока 120...370 В.
В статье описываются принцип действия и особенности проектирования ИВЭ этого класса. Даны рекомендации по выбору схемотехнических решений и основных компонентов.

В статье автор кратко рассматривает принцип измерения температуры, в котором в качестве датчика использован p-n-переход. Показана принципиальная возможность измерения температуры p-n-переходом в диапазоне температур -196...+100°С в токовом режиме. Приведена схема источника питания для обеспечения постоянного тока в p-n-переходе.

Статья описывает транзисторы BIMOSFET™ и сравнивает их с транзисторами других типов. Приводится множество электрических характеристик, позволяющих оценить и сравнить работу транзистора в статическом и динамическом режимах. Даны примеры практической реализации высоковольтных применений транзисторов BIMOSFET™ с подробным описанием схем и рекомендациями по их использованию.