Современная электроника №5/2023

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 57 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 5 / 2023 В 2020 году фирма Cree налади - ла производство серийных МОП - транзисторов на карбиде кремния (SiC), которые из - за широкозонности материала показывают рекордные значения по сопротивлению канала в открытом состоянии ( R k ) и максималь - ному рабочему напряжению по сравне - нию с обычными МОП - транзисторами и могли бы составить конкуренцию ТЭУ . Однако из - за низкой подвижно - сти электронов (900 см 2 /( В · с ), а в кана - ле и того меньше – 200...300  см 2 /( В · с ), у Si – 1450 см 2 /( В · с )), они могут рабо - тать на частоте не выше 150 кГц . Так - же они проигрывают ТЭУ и по R k . В ТЭУ плотность электронно - дырочной плазмы на несколько порядков выше , чем в МОП - транзисторах на SiC. Кро - ме того , они имеют такие недостатки , как высокая себестоимость (SiC по твёрдости не уступает алмазу и име - ет высокую дефектность кристалличе - ской решётки ), низкая спецстойкость , высокая вероятность включения пара - зитного диода и сложность в управле - нии из - за низкой зависимости шири - ны ОПЗ от приложенного напряжения . ТЭУ существенно отличается от обычных тиристоров . Обычные тири - сторы имеют четырёхслойную структу - ру , а ТЭУ – двухслойную , как диод , поэ - тому его правильней называть диодом с электростатическим управлением ( ДЭУ ). В табл . 1 приведены характери - стики мощных силовых высоковольт - ных современных ключей . Заключение Авторами данной статьи разработа - ны новые конструктивно - технологи - ческие приёмы построения высоко - вольтных тиристоров со статической индукцией ( ТЭУ ) на Si и GaAs, которые позволят создать приборы с параметра - ми , превосходящими лучшие зарубеж - ные тиристоры и приборы на SiC во всём диапазоне рабочих напряжений . В связи с тем , что у ТЭУ на пути про - текания тока только один p-n- переход , авторы предлагают их называть дио - дами с электростатическим управле - нием ( ДЭУ ). Литература 1. Максименко Ю . Н . Транзистор со стати - ческой индукцией КП 926 с повышенным быстродействием // Электронная техни - ка . Сер . 2. Полупроводниковые приборы . 2022. Вып . 3 (266). 2. Рогачев К . Д . Современные силовые запи - раемые тиристоры // Рынок микроэлек - троники . 2015. 3. Ржеусская А . Д ., Корнюшко О . А . Устрой - ство и применение запираемых тиристо - ров // Актуальные проблемы энергети - ки . 2016. 4. Nishizawa I., Nonaka T., Mochida Y. Static induction transistor logik // Proc. 1979 Int. Conf. Solid State Pevicea (Tokyo) lap, I. Appl. Phys. Suppl. 19.01.1980. P. 279–282. 5. Normally-off type high speed SI-thiristor / Y. Nakamura, H. Tadano, S. Sagiyama at al. // International Electron Devices Meet. Sun-Fransisco, Calif. 1982. P. 480–483. 6. Авторское свидетельство № 1215546 СССР , МКИ HOI 21/18. Способ изго - товления полевых транзисторов с управляющим р -n- переходом и вер - тикальным каналом : № 3052227 : заявл . 22.06.1982 : зарег . в Госрее - стре изобретений СССР 01.11.1985 / Ю . Н . Максименко , С . Н . Корнилова , Н . М . Жуковский . 7. Максименко Ю . Н . Мощные полупро - водниковые приборы со статической индукцией : монография . Новосибирск : PVN, 2022. (495) 234-0636 INFO@PROSOFT.RU WWW.PROSOFT.RU ОФИЦИАЛЬНЫЙ ДИСТРИБЬЮТОР Реклама