Радиационно-стойкие MOSFET-транзисторы с логическим уровнем управления упрощают конструкцию и повышают надёжность

Радиационно-стойкие MOSFET-транзисторы с логическим уровнем управления упрощают конструкцию и повышают надёжность

Подразделение компании Infineon Technologies Company – International Rectifier HiRel Products – предлагает радиационно-стойкие MOSFET-транзисторы с логическим уровнем управления затвором с блокирующими напряжениями 60, 100 и 250 В для применения в ключевых источниках питания распределённых систем питания спутников и преобразователях напряжения с резонансным переключением.

По сравнению с биполярными MOSFET-транзисторы с логическим уровнем управления могут управляться непосредственно от логических схем КМОП/ТТЛ, исключая промежуточные компоненты, тем самым упрощая конструкцию схемы и повышая надёжность.

Кроме того, низкое значение сопротивление канала в открытом состоянии RDS (ON), быстрая скорость переключения и небольшие размеры делают эти MOSFET-транзисторы идеальной альтернативой традиционным биполярным устройствам.

MOSFET-транзисторы предлагают эффективное и надёжное решение для согласования схем управления с логическими уровнями КМОП/ТТЛ, при этом нет необходимости в неэффективных биполярных устройствах, громоздких трансформаторах и дорогостоящих микросхемах драйверов затворов.

Расширенное семейство MOSFET-транзисторов включает N- и P-канальные устройства в многокристальных и одиночных конфигурациях. Анонсируемые приборы предлагаются в корпусах для монтажа в отверстия печатной платы и поверхностного монтажа, включая SMD-0.5, SMD-2, LCC-28, 14-выводной FlatPack, TO-205AF, низкоомный корпус TO-257AA и MO-036AB. Устройства характеризуются стойкостью к суммарной накопленной дозе радиации до 300 крад (Si) и уровнем чувствительности к одиночным ядерным частицам с ЛПЭ до 82 МэВ•см2/мг.

Основные технические характеристики MOSFET-транзисторов с логическим уровнем управления представлены в таблице

Наименование

Тип канала

Блокирующее напряжение
BVDSS , В

Сопротивление канала
RDSS (ON), Ом

Заряд затвора
QG, нК

Ток стока
ID (при +25ºC), А

Корпус

IRHLNA77064

N

60

0,012

151

56

SMD-2

IRHLNJ77034

N

60

0,045

34

20

SMD-0.5

IRHLYS77034CM

N

60

0,045

34

20

TO-257AA

IRHLF770Z4

N

60

0,5

2,4

1,6

TO-205AF

IRHLNA797064

P

–60

0,015

190

–56

SMD-2

IRHLNJ797034

P

–60

0,072

35

–20

SMD-0.5

IRHLYS797034CM

P

–60

0,072

35

–20

TO-257AA

IRHLF7970Z4

P

–60

1,2

4

–1,6

TO-205AF

IRHA7670Z4

2N/2P

60/–60

0,6/1,25

2,5/2,8

1,07/–0,71

FlatPack

IRHLG7670Z4

2N/2P

60/–60

0,6/1,25

2,5/2,8

1,07/–0,71

MO-036AB

IRHLG770Z4

Quad N

60

0,6

2,5

1,07 (через каждый кристалл)

MO-036AB

IRHLA770Z4

Quad N

60

0,6

2,5

1,07 (через каждый кристалл)

FlatPack

IRHLG7970Z4

Quad P

–60

1,25

2,8

–0,71 (через каждый кристалл)

MO-036AB

IRHLA7970Z4

Quad P

–60

1,25

2,8

–0,71 (через каждый кристалл)

FlatPack

IRHLF77110

N

100

0,30

9

6

TO-205AF

IRHLG77110

Quad N

100

0,22

15

1,8

MO-036AB

IRHLF77214

N

250

1

18

3,3

TO-205AF

IRHLQ77214

Quad N

250

1

18

2,6

LCC-28

Результаты испытаний 60-вольтовых MOSFET-транзисторов c каналом P-типа на воздействие одиночных заряженных частиц представлены в отчёте.

Вся текущая номенклатура радиационно-стойких транзисторов MOSFET представлена ЗДЕСЬ.

На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.