Компания GlobalFoundries сообщила, что в США на заводе Fab 10 в Ист-Фишкилл (East Fishkill) успешно внедрён и квалифицирован для массового производства заказных БИС техпроцесс с нормами 90 нм с интеграцией в чипы элементов так называемой кремниевой фотоники. Кремниевая фотоника – это возможность встраивать в кристаллы обычных микросхем активные и пассивные элементы для обработки и передачи оптических сигналов. Решение получается монолитным, предельно компактным, достаточно дешёвым и позволяет существенно снизить потери сигнала при работе с оптикой.
Следует уточнить, что ранее на заводе Fab 10, который принадлежал компании IBM и был передан GlobalFoundries около двух лет назад, кремниевая фотоника выпускалась в опытных партиях на 200-мм кремниевых пластинах RF-SOI. Усилиями инженеров GlobalFoundries техпроцесс был адаптирован для производства на 300-мм пластинах RF-SOI, чему в мире нет аналогов. Тем самым значительно увеличен выход микросхем и снижена себестоимость производства, а значит кремниевая фотоника получает шанс оказаться востребованной среди клиентов компании.
На следующем этапе для выпуска ASIC и SoC с кремниевой фотоникой GlobalFoundries начнёт внедрять 45-нм техпроцесс на 300-мм пластинах RF-SOI. Судя по предыдущим сообщениям, это будет техпроцесс, лицензированный у молодой компании Ayar Labs. Переход на 45-нм технологические нормы ещё больше повысит энергоэффективность и пропускную способность решений, которая достигнет терабитных скоростей при передаче данных. Производство чипов с 45-нм кремниевой фотоникой стартует в 2019 году.
Что касается 90-нм техпроцесса, то для интегрированной кремниевой фотоники заявлена скорость передачи данных по оптическим каналам до 800 Гбит/с с дальностью до 120 км. Проектированию решений поможет пакет для разработчиков, интегрированный в систему Cadence Design Systems. Расширения для системы включает данные о поляризации, температуре и длинах волн с моделированием процессов и возможностью протестировать проект до его воплощения в кремнии.
Комментарии