Радиационно-стойкие N-канальные MOSFET в корпусе SupIR–SMD™

Радиационно-стойкие N-канальные MOSFET в корпусе SupIR–SMD™

Подразделение компании An Infineon Technologies Company – International Rectifier HiRel Products – начала производство радиационно-стойких N-канальных транзисторов MOSFET с максимальными рабочими напряжениями 100 В (модели IRHNS57160, IRHNS53160, IRHNS54160, IRHNS58160) и 150 В (модели IRHNS67164, IRHNS63164), выполненных в новом корпусе SupIR–SMD™ (U.S. patent 9.559.026).

Новый корпус SupIR–SMD™ заменяет корпус SMD-2 и может быть установлен на плату непосредственно без применения дополнительных держателей.

Компания International Rectifier уделяет большое внимание совершенствованию технологий размещения кристаллов MOSFET в новых корпусах, поскольку только оптимальное сочетание кристалла транзистора и корпуса обеспечивает создание по-настоящему эффективного устройства. Компания IR является разработчиком многих типов корпусов, ставших стандартными в отрасли.

Применение корпуса SupIR–SMD™ позволяет на 37% уменьшить площадь основания и на 40% вес устройства по сравнению с корпусом SMD-2. При этом применяется кристалл, подобный для корпусов SMD-2. Значительное уменьшение теплового сопротивления между кристаллом и корпусом транзистора позволило на 46% увеличить максимальный ток стока. Общее электрическое сопротивление уменьшилось на 30%. Паразитная индуктивность уменьшилась на 76%. Всё это позволяет повысить эффективность системы и надёжность схемы.

Кристаллы новых транзисторов имеют полосковую структуру ячеек (изготовленные по технологиям R5 и R6), отличающуюся компактностью и сниженными потерями на проводимость и переключение, а также повышенными показателями радиационной стойкости по эффекту отказов SEGR (Single Event Gate Rapture, пробой подзатворного диэлектрика в транзисторах MOSFET) и по эффекту одиночных отказов SEB (Single Event Burnout, пробой истоковой области в МДП–структурах). Транзисторы, с кристаллами, изготовленными по технологиям R5 и R6, характеризуются высокой стойкостью к воздействию ионизирующих излучений космического пространства по дозовым эффектам (предлагаются модели с накопленной суммарной дозой от 100 до 1000 крад) и к воздействию одиночных заряженных частиц с линейными потерями энергии до 80 МэВ∙см2/мг.

Сочетание низкого сопротивления открытого канала RDS (ON) и значения заряда затвора снижают потери мощности в применениях с высокими частотами переключений, таких как DC/DC-преобразователи и системы управления электромоторами. Эти устройства сохраняют хорошо известные преимущества MOSFET, такие как управление напряжением, высокая скорость переключения, простота параллельного включения и температурная стабильность электрических параметров.

Основные параметры радиационно-стойких транзисторов MOSFET в корпусе SupIR–SMD™ представлены в таблице.

Наименование

Суммарная накопленная доза радиации, крад (в кремнии)

Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии, RDS (ON), ОМ

Максимальный ток стока при +25ºC, ID, А

IRHNS57160

100

0,012

75

IRHNS53160

300

0,012

75

IRHNS54160

500

0,012

75

IRHNS58160

1000

0,012

75

IRHNS67164

100

0,018

56

IRHNS63164

300

0,018

56

Подробная информация здесь


Поделиться:



На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.