Радиационно-стойкие 250-вольтные N-канальные транзисторы MOSFET в корпусе SMD-0.2

Радиационно-стойкие 250-вольтные N-канальные транзисторы MOSFET в корпусе SMD-0.2

Подразделение компании Infineon Technologies Company – International Rectifier HiRel Products – приступило к производству радиационно-стойких (RAD-Hard™) N-канальных транзисторов MOSFET IRHLNM7S7214 с максимальным рабочим напряжением 250 В, выполненных в корпусе SMD-0.2 по технологии R7. Логический уровень управления затвором обеспечивает простое сопряжение схем управления с логикой TTЛ и КМОП в силовой электронике космической аппаратуры и другой аппаратуры, применяемой в условиях воздействия радиации. Пороговое напряжение сохраняет своё значение в пределах допустимых пределов во всём диапазоне рабочих температур. Гарантируется отсутствие дозовых эффектов при накопленной дозе радиации до 100 крад и стойкость к воздействию заряженных частиц с линейными потерями энергии до 60 МэВ см2/мг. Доступна также модель MOSFЕT IRHLNM7S3214 со стойкостью к накопленной дозе радиации 300 крад (Si). Выпускаются также модели IRHLNMC7S7214 и IRHLNMC7S3214 с крышками, выполненными из керамики.

Предлагаемые транзисторы являются идеальными для обеспечения непосредственного сопряжения с большей частью логических вентилей, линейных микросхем, микроконтроллеров и других типов устройств, требующих для питания уровни напряжения от 3,3 до 5 В. Возможно также использование транзисторов для увеличения выходного тока микросхем ШИМ-контроллеров, компараторов напряжения или операционных усилителей, когда доступны логические уровни управляющих сигналов.

Учитывая повышенный спрос на радиационно-стойкие транзисторы с логическим уровнем управления семейства R7 у российских разработчиков силовой электроники для аппаратуры космических аппаратов, компания International Rectifier HiRel Products включила этот тип приборов в перечень S60 (60 указывает на чувствительность к одиночным эффектам при воздействии ТЗЧ с линейными потерями энергии 60 МэВ см2/мг) радиационно-стойких компонентов, поставка которых в Россию возможна без оформления лицензий в государственных ведомствах США, ответственных за регулирование экспорта технологий и продукции военного назначения (экспорт этих компонентов осуществляется на основании Правил экспортного регулирования EAR99).

Технические параметры радиационно-стойких транзисторов MOSFET семейства R7 серии IRHLNM7S7214:

  • VDS – 250 В;
  • RDSon – 1,1 Ом;
  • QG – 13 нKл;
  • ID@25°C – 3,2 A;
  • VGSmax – ±10 В.
www.irf.com


Поделиться:


Комментарии

Текст сообщения*
Защита от автоматических сообщений
 


На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.