
Новая конструкция позволит достичь согласования микросхемы с подводящим трактом по СВЧ-сигналу в сверхширокой полосе частот, а также использовать при сборке технологию поверхностного монтажа.
СВЧ-микросхемы с такой конструкцией ввода/вывода сигнала могут быть рекомендованы для применений, где требуются:
отличное согласование в сверхширокой полосе частот (КСВН не превышает 1,4 в диапазоне частот от 0 до 55 ГГц);
высокая воспроизводимость параметров;
поверхностный монтаж без использования процессов разварки проволочек.
Передача в микросхему всех сигналов, как низкочастотных, так и высокочастотных, осуществляется через сквозные металлизированные отверстия. В этом заключается основное отличие от классической конструкции СВЧ-микросхем, в которой металлизация обратной стороны кристалла используется только в качестве экрана и общего вывода.
Пример СВЧ-микросхемы с вводом/выводом СВЧ- и НЧ-сигналов через сквозные металлизированные отверстия представлен на рисунке (лицевая и обратная стороны кристалла детектора проходящей мощности MD912B).
Для получения такой конструкции ввода/вывода сигнала в металлизации обратной стороны кристалла формируется дополнительный топологический рисунок. При этом контактные площадки на обратной стороне кристалла надёжно изолированы друг от друга: сопротивление между соседними площадками составляет более 50 МОм, а пробивное напряжение превышает 100 В.
Разработанная конструкция может быть интегрирована в микросхемы, выполненные по любой из существующих технологий изготовления СВЧ МИС компании «Микран».
www.micran.ru
Комментарии