Микроэлектроника меняет мир

Пленарное заседание III Международного форума прошло под девизом «Микроэлектроника меняет мир». Именно эта фраза звучала в каждом докладе.

На Форум приехало свыше 400 участников из 34 городов, которые представили 176 докладов. В мероприятиях приняли участие представители 135 предприятий и институтов, в том числе 64 генеральных директора.

Открывая Форум, первым выступил с приветственным словом и докладом Почётный президент конференции «Микроэлектроника – ЭКБ и электронные модули», руководитель Межведомственного совета главных конструкторов по электронной компонентной базе РФ, академик РАН, доктор технических наук, профессор Геннадий Красников: «Наша конференция набирает популярность, становится важным событием в электронной жизни России. Я надеюсь, что после конференции, мы подведём итог, учтём все пожелания и предложения, высказанные и на пленарном заседании, и в работе секций. Есть договорённости с Минпромторгом, с рядом фондов и инвестиционных организаций. Все предложения не останутся без внимания, будут прорабатываться». Начав свой доклад с истории возникновения микроэлектроники, Г.Я. Красников в своём докладе подробно остановился на дальнейшем развитии микроэлектроники.

Микроэлектроника развивается быстрей других отраслей. С каждым следующим поколением технологический рост производительности чипов все сильнее определяется новыми материалами, а не только масштабированием. На начальных этапах развития микроэлектроники переход на новый уровень был возможен с помощью простого масштабирования, то по мере уменьшения норм до 1 мкм и менее такие переходы стали требовать сложных решений: коренных изменений процесса и оборудования фотолитографии, новых материалов, структур.

Ни одна отрасль не изменила мир так значительно, как микроэлектроника, благодаря её развитию возникли технологии, давшие жизнь роботам, искусственному интеллекту и Интернету вещей. Микроэлектроника продолжает динамичное развитие. Правило Мура уже работает более 50 лет и будет работать ещё минимум 30 лет.

На смену технологии FinFET придёт технология FD-SOI. Первый заместитель генерального директора АО «НИИМЭ», доктор технических наук, профессор кафедры интегральной электроники и микросистем НИУ МИЭТ Николай Шелепин выпустил с пленарным докладом «Особенности элементной базы СБИС на основе КМОП КНИ технологии с полным обеднением»: «Уровень 28 нм – последний для «обычных» планарных транзисторов. Переход к уровням 22 – 14 нм уже не мог быть реализован на «обычных» планарных МОП транзисторах. В связи с этим мировые лидеры (Intel, TSMC, Samsung) пошли по пути не планарных транзисторов. Речь идёт о разновидности технологии так называемых трёхзатворных (Tri Gate) транзисторов, получившую название FinFET».

Стоимость технологий становится неподъёмной. Что делать мировым лидерам «2-го уровня»? В Европе создана программа по развитию технологии FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator ‒ полностью обеднённый кремний-на-изоляторе (ПО КНИ)). Лидер – STMicroelectronics.

Форум организован ведущими институтами и дизайн-центрами страны: АО «НИИМА «Прогресс», АО НИИМЭ, НИУ МИЭТ.

Официальную поддержку III Международному форуму «Микроэлектроника-2017» оказывают: Департамент радиоэлектронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, госкорпорация «Ростех», холдинговая компания «Росэлектроника», Кластер передовых производственных технологий, ядерных и космических технологий «Сколково», Союз машиностроителей России и федеральная программа «Работай в России!».

Сопредседатель Оргкомитета III Международного форума «Микроэлектроника-2017», генеральный директор АО «НИИМА «Прогресс» Василий Шпак отметил: «Впервые в России проводится столь масштабный Форум по микроэлектронике, на котором представлены самые современные инновационные разработки и достижения микроэлектронной промышленности. Уверен, что прямые контакты между первыми лицами компаний, установление личных отношений между производителями аппаратуры и разработчиками даст старт стремительному формированию отечественной ЭКБ и развитию цифровой экономики в России».