Безлицензионные радиационно-стойкие транзисторы MOSFET с логическим уровнем управления

Подразделение компании Infineon Technologies Company – International Rectifier HiRel Products – начала производство радиационно-стойких N-канальных транзисторов MOSFET с максимальными рабочими напряжениями 100 и 250 В. Приборы выполнены в различных корпусах MO-036AB, LCC-28, SMD0.2 и TO-205AF. Транзисторы созданы по технологии R7 – логический уровень управления затвором обеспечивает простое сопряжение схем управления с логикой TTЛ и КМОП в силовой электронике космической аппаратуры и другой электронике, применяемой в условиях воздействия радиации.

Пороговое напряжение сохраняет своё значение в пределах допустимых пределов во всём диапазоне рабочих температур и воздействия радиации до 100 крад (300 крад) и до 60 МэВ см²/мг.

Новые модели транзисторов IRHLG7S7110, IRHNM7S7110, IRHNMC7S7110, IRHLG7S7214, IRHLQ7S7214, IRHNM7S7214, IRHLF7S7214 относятся к серии S – компоненты стойкие к воздействию одиночных заряженных частиц с линейными потерями энергии более 60 МэВ·см²/мг.

Поставка этих компонентов в Россию возможна без оформления лицензий в государственных ведомствах США, ответственных за регулирование экспорта технологий и продукции военного назначения (экспорт этих компонентов осуществляется на основании Правил экспортного регулирования EAR99).

Предлагаемые транзисторы изготовлены по технологии Trench, которая характеризуется вертикальным протеканием тока и наличием паза в структуре кристалла. Благодаря вертикальному расположению затвора, транзисторы этого типа имеют минимальную площадь ячейки и самое низкое сопротивление открытого канала.

Транзисторы ряда R7 являются идеальными для обеспечения непосредственного сопряжения с логическими вентилями, линейными микросхемами, микроконтроллерами и другими типами устройств, требующих для питания уровней напряжения от 3,3 до 5 В. Возможно также использование транзисторов при необходимости увеличения выходного тока микросхем ШИМ-контроллеров, компараторов напряжения и операционных усилителей, когда доступны логические уровни управляющих сигналов, исключая применение неэффективных биполярных устройств, громоздких трансформаторов и дорогих драйверных схем.

В таблице приведены радиационно-стойкие MOSFET с логическим уровнем управления с каналом n–типа, дозовая стойкость 100 (опция 300 крад), уровень чувствительности к ТЗЧ с ЛПЭ > 60 МэВ·см²/мг

http://www.irf.com/product/_/N~1nje1p