В Томске разрабатывают силовые транзисторы нового поколения

В Томске разрабатывают силовые транзисторы нового поколения Учёные Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) в партнёрстве с АО «НПФ «Микран» работают над созданием технологии производства транзисторов нового поколения для энергоэффективной преобразовательной техники.

Учёные Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) в партнёрстве с АО «НПФ «Микран» работают над созданием технологии производства транзисторов нового поколения для энергоэффективной преобразовательной техники.

Экспериментальные образцы нитрид-галлиевых транзисторов, по своим техническим характеристикам существенно превосходящие кремниевые аналоги, создаются в научно-образовательном центре «Нанотехнологии» ТУСУР.

Как поясняет директор НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУР Дмитрий Зыков: «Использование нитрид-галлиевых силовых гетероструктурных транзисторов позволит повысить эффективность использования (преобразования) электроэнергии до 20% в различных электронных устройствах, при этом значительно уменьшив массу и габариты вторичных источников питания. Например, если заменить кремниевые транзисторы на нитрид-галлиевые в ноутбуке, то отпадёт необходимость в отдельном блоке питания, его можно будет разместить сразу в ноутбуке».

Новая технология, разработанная в ТУСУР, прежде всего найдёт своё применение в специализированных областях в составе техники, работающей в особых условиях. Например, в робототехнических комплексах арктического применения или в космических аппаратах, однако в перспективе эта технология найдёт применение в сфере промышленной электроники и энергосберегающей техники, а также на предприятиях радиоэлектронной промышленности.

Широкое внедрение разрабатываемой в ТУСУР технологии позволит, с одной стороны, повысить эффективность использования (преобразования) электроэнергии, а с другой стороны, обеспечить импортозамещение кремниевых устройств современными силовыми приборами.

«Внедрение нашей технологии позволит сформировать отечественный рынок на основе опережающих решений. Сегодня в России около 90% полупроводниковых преобразователей на основе кремния – это импорт, годовой объём которого оценивается 8-10 млрд рублей с тенденцией к росту. Однако уже сегодня ряд российских предприятий готовы производить бортовые системы электропитания и управления для авиации и космической техники, телекоммуникационное оборудование на основе нашей технологии, обеспечивая конкурентоспособность своей продукции на мировом уровне. То, что российские предприятия сейчас будут использовать самые передовые технологии при создании новых производств, позволит им обеспечить лидерство и на мировом рынке», – отмечает Дмитрий Зыков.

Разработка технологии изготовления силовых коммутационных транзисторов на основе нитрида галлия для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания выполняется в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы». Одним из конечных результатов выполнения проекта станут рекомендации по внедрению разработанной технологии в производство, которое будет выполнено на технологической базе АО «НПФ «Микран».

Micran.ru


Поделиться:


Комментарии

Текст сообщения*
Защита от автоматических сообщений
 

На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.