Samsung: массовое производство СнК по техпроцессу 10-нм FinFET

Samsung: массовое производство СнК по техпроцессу 10-нм FinFET

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы System-on-Chip (SoC) по техпроцессу 10-нм FinFET.

Новый процессор Samsung 10-нм FinFET (10LPE) имеет передовую транзисторную 3D-структуру. Его операционная технология и дизайн были улучшены по сравнению с предыдущей версией 14-нм, что обеспечивает на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, рост производительности на 40%, а также снижение энергопотребления на 40%. Для снятия ограничений масштабирования в новом решении используются новейшее техническое решение – тройное структурирование. Оно обеспечивает двустороннюю маршрутизацию для поддержания большей гибкости в дизайне и роутинге по сравнению с предыдущими моделями.

Ранее Samsung представила первое поколение решений по техпроцессу 10-нм (10LPE). Второе поколение (10LPP) обладает улучшенной производительностью, старт его массового производства намечен на вторую половину 2017 года.

В плотном сотрудничестве с партнёрами Samsung также намерена создать функциональную полупроводниковую экосистему, которая объединит средства проверки эталонного потока, IP и библиотеки. Для запуска архитектуры на данный момент доступны набор разработки производственного процесса (PDK) и набор разработки IP.

Система SoC по техпроцессу 10-нм будет использоваться в цифровых устройствах с начала следующего года. Ожидается, что они станут доступны массовому потребителю в течение 2017 года.


Поделиться:


Комментарии

Текст сообщения*
Защита от автоматических сообщений
 


На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.