Радиационно-стойкие 100-вольтовые транзисторы MOSFET

Радиационно-стойкие 100-вольтовые транзисторы MOSFET

Подразделение компании An Infineon Technologies Company – International Rectifier HiRel Products – начала производство одноканальных герметичных радиационно-стойких (RAD-Hard™) радиационно-стойких транзисторов MOSFET с каналом N-типа IRHNJ9A7130 с максимальным рабочим напряжением 100 В, выполненных технологии R9 в керамическом корпусе SMD0.5 для поверхностного монтажа. Эти транзисторы характеризуются улучшенными показателями стойкости к воздействию одиночных заряженных частиц: гарантируется отсутствие одиночных эффектов при воздействии ионов с линейными потерями энергии до 90 МэВ × см2/мг. Сочетание низкого значения сопротивления открытого канала RDS (ON) 34 мОм и быстрого времени переключения сокращает потери энергии (потери на проводимость и потери переключения) и повышает удельную мощность в современных высокочастотных применениях, таких как, DC/DC-преобразователи и контроллеры управления электроприводом. Эти транзисторы сохраняют все широко известные преимущества MOSFET, такие как, управление уровнем напряжения, высокая скорость переключения, простота параллельной работы и температурная стабильность электрических параметров.

Для экспорта из США в Россию этих транзисторов требуется оформление экспортной лицензии.

Краткие технические характеристики:

Код компонента

Поглощённая доза, кРад

Максимальное рабочее напряжение, V(BR) DSS, В

Сопротивление канала открытого транзистора RDS(ON) (макс.), мОм

Ток стока ID (+25˚C), А

Напряжение затвор-исток VGS, В

IRHNJ9A7130

100

100

34

35

±20

IRHNJ9A3130

300

100

34

35

±20

www.infineon.com


Поделиться:


Комментарии

Текст сообщения*
Защита от автоматических сообщений
 


На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.