MOSFET в корпусе SMD-0.5 с повышенной стойкостью к одиночным эффектам

MOSFET в корпусе SMD-0.5 с повышенной стойкостью к одиночным эффектам

Подразделение компании Infineon Technologies Company – International Rectifier HiRel Products – начала производство одноканальных герметичных радиационно-стойких (RAD-Hard™) N-канальных транзисторов MOSFET IRHNJ57234SE с максимальным рабочим напряжением 250 В, выполненных в корпусе SMD-0.5 для поверхностного монтажа. Транзисторы предназначены для применения в аппаратуре космических аппаратов, такой как силовые системы промежуточной шины, управление электроприводами и источники питания DC/DC. Сочетание низкого сопротивления открытого канала RDS (ON) (0,4 Ом) и низкого заряда затвора (32 нК) уменьшают потери энергии.

Корпус SMD-0.5 для поверхностного монтажа с размерами 10,28 × 7,64 × 3,12 мм и весом всего лишь 1 г способен рассеивать мощность 75 Вт.

Новый транзистор MOSFET создан по проверенной технологии R5™, которая обеспечивает повышенные технические характеристики силовых MOSFET для космических применений. Эта модель характеризуется значительной стойкостью к воздействию одиночных заряженных частиц с линейной потерей энергии до 80 МэВ × см2/мг, стойкость к дозовым эффектам 100 крад (Si). Модель IRHNJ57234SE сохраняет все хорошо известные преимущества силовых MOSFET, такие как управление напряжением, быстрая коммутация, простота параллельной работы и температурная стабильность электрических параметров.

IRHNJ57234SE сочетает опыт International Rectifier HiRel Products в создании технологии радиационно-стойких транзисторов MOSFET с новаторской патентованной технологией герметизации, чтобы помочь разработчикам справиться с проблемами при разработке аппаратуры для космических применений, которая всё больше требует меньших по размерам, более лёгких, высоконадёжных системных решений.

Технические характеристики MOSFET IRHNJ57234SE:


  • код компонента – IRHNJ57234SE

  • код транзистора по MIL-PRF-1950 QPL – JANSR2N7555U3

  • поглощённая доза, кРад – 100

  • максимальное рабочее напряжение, V(BR) DSS, В – 250

  • сопротивление канала открытого транзистора RDS(ON) (макс.), Ом – 0,4

  • ток стока ID (+25˚C), А – 10

  • напряжение затвор-исток VGS, В – ±20.

www.irf.com


Поделиться:


Комментарии

Текст сообщения*
Защита от автоматических сообщений
 


На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.