Безлицензионные радиационно-стойкие транзисторы MOSFET поколения R7

Безлицензионные радиационно-стойкие транзисторы MOSFET поколения R7

Долгое время в полупроводниковой промышленности использование радиационно-стойких силовых MOSFET устройств для исключения эффектов отказов SEL (тиристорный эффект) было менее распространённым, чем применение логических схем и устройств памяти с повышенным уровнем радиационной стойкости для исключения эффекта одиночных сбоев (Single Event Upset, SEU). Продвигаясь ещё ни кем не пройденным путём, компания International Rectifier в 2005 году представила радиационно-стойкие транзисторы MOSFET с каналами n- и p- типов c чрезвычайно низкими потерями на переключение и потерями на проводимость, меньшими чем у биполярных силовых транзисторов, которые были основой источников питания для спутников. Обычно, разработчики источников питания для спутников вынуждены были применять устаревшие биполярные транзисторы типа n-p-n 2N2222A и типа p-n-p 2N2907A.

По сравнению с этими биполярными транзисторами предложенные радиационно-стойкие транзисторы MOSFET IRHLUB770Z4 (индуцированный канал n-типа) и IRHLUB7970Z4 (с индуцированным каналом p-типа) включаются значительно быстрее, и выключаются от 6 до 9 раз быстрее при этом, коммутируя ток, в 5 раз больше. Потери на переключение приблизительно в 20 раз меньше, потери на проводимость сокращаются приблизительно в два раза.

Учитывая повышенный спрос на радиационно-стойкие транзисторы с логическим уровнем управления семейства R7 у российских разработчиков силовой электроники для аппаратуры космических аппаратов, компания International Rectifier летом 2015 года включила этот тип приборов в перечень S60 (цифра 60 указывает на чувствительность к одиночным эффектам при воздействии ТЗЧ с линейными потерями энергии 60 МэВ×см2/мг) реклассифицированных (из регулирования экспорта согласно правилам ITAR) радиационно-стойких компонентов, поставка которых в Россию возможна без оформления лицензий в государственных ведомствах США, ответственных за регулирование экспорта технологий и продукции военного назначения (экспорт этих компонентов осуществляется на основании Правил экспортного регулирования EAR99).

Радиационно-стойкие MOSFET семейства R7 с логическим уровнем управления с каналом n-типа, дозовая стойкость 100 (опция 300 крад), уровень чувствительности к ТЗЧ с ЛПЭ 60 МэВ×см2/мг:

Тип прибора VDS, В RDSon, мОм QG, нK ID@25°C VGSmax, В Размер кристалла Корпус
IRHLUB7S70Z4 60 680 3,6 0,8 ±10 Z UB
IRHLF7S7110 100 290 11 6 ±10 1 TO-39
IRHLNJ7S7034 60 350 34 22 ±10 3 SMD-0.5


Радиационно-стойкие MOSFET семейства R7 с логическим уровнем управления с индуцированным каналом p-типа, дозовая стойкость 100 (опция 300 крад), уровень чувствительности к ТЗЧ с ЛПЭ 60 МэВ×см2/мг:

Тип прибора VDS, В RDSon, мОм QG, нK ID@25°C VGSmax, В Размер кристалла Корпус
IRHLNJ7S97034 –60 72 36 –22 ±10 3 SMD-0.5
IRHLYS7S97034CM –60 74 36 –20 ±10 3 TO-257 (LO)
IRHLF7S97034 –60 95 36 –1,6 ±10 3 TO-39
IRLHUB7S970Z4 –60 1350 2,8 –0,53 ±10 Z UB

Irf.com


Поделиться:


Комментарии

Текст сообщения*
Защита от автоматических сообщений
 


На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.