Долгое время в полупроводниковой промышленности использование радиационно-стойких силовых MOSFET устройств для исключения эффектов отказов SEL (тиристорный эффект) было менее распространённым, чем применение логических схем и устройств памяти с повышенным уровнем радиационной стойкости для исключения эффекта одиночных сбоев (Single Event Upset, SEU). Продвигаясь ещё ни кем не пройденным путём, компания International Rectifier в 2005 году представила радиационно-стойкие транзисторы MOSFET с каналами n- и p- типов c чрезвычайно низкими потерями на переключение и потерями на проводимость, меньшими чем у биполярных силовых транзисторов, которые были основой источников питания для спутников. Обычно, разработчики источников питания для спутников вынуждены были применять устаревшие биполярные транзисторы типа n-p-n 2N2222A и типа p-n-p 2N2907A.
По сравнению с этими биполярными транзисторами предложенные радиационно-стойкие транзисторы MOSFET IRHLUB770Z4 (индуцированный канал n-типа) и IRHLUB7970Z4 (с индуцированным каналом p-типа) включаются значительно быстрее, и выключаются от 6 до 9 раз быстрее при этом, коммутируя ток, в 5 раз больше. Потери на переключение приблизительно в 20 раз меньше, потери на проводимость сокращаются приблизительно в два раза.
Учитывая повышенный спрос на радиационно-стойкие транзисторы с логическим уровнем управления семейства R7 у российских разработчиков силовой электроники для аппаратуры космических аппаратов, компания International Rectifier летом 2015 года включила этот тип приборов в перечень S60 (цифра 60 указывает на чувствительность к одиночным эффектам при воздействии ТЗЧ с линейными потерями энергии 60 МэВ×см2/мг) реклассифицированных (из регулирования экспорта согласно правилам ITAR) радиационно-стойких компонентов, поставка которых в Россию возможна без оформления лицензий в государственных ведомствах США, ответственных за регулирование экспорта технологий и продукции военного назначения (экспорт этих компонентов осуществляется на основании Правил экспортного регулирования EAR99).
Радиационно-стойкие MOSFET семейства R7 с логическим уровнем управления с каналом n-типа, дозовая стойкость 100 (опция 300 крад), уровень чувствительности к ТЗЧ с ЛПЭ 60 МэВ×см2/мг:
| Тип прибора | VDS, В | RDSon, мОм | QG, нK | ID@25°C | VGSmax, В | Размер кристалла | Корпус |
| IRHLUB7S70Z4 | 60 | 680 | 3,6 | 0,8 | ±10 | Z | UB |
| IRHLF7S7110 | 100 | 290 | 11 | 6 | ±10 | 1 | TO-39 |
| IRHLNJ7S7034 | 60 | 350 | 34 | 22 | ±10 | 3 | SMD-0.5 |
Радиационно-стойкие MOSFET семейства R7 с логическим уровнем управления с индуцированным каналом p-типа, дозовая стойкость 100 (опция 300 крад), уровень чувствительности к ТЗЧ с ЛПЭ 60 МэВ×см2/мг:
| Тип прибора | VDS, В | RDSon, мОм | QG, нK | ID@25°C | VGSmax, В | Размер кристалла | Корпус |
| IRHLNJ7S97034 | –60 | 72 | 36 | –22 | ±10 | 3 | SMD-0.5 |
| IRHLYS7S97034CM | –60 | 74 | 36 | –20 | ±10 | 3 | TO-257 (LO) |
| IRHLF7S97034 | –60 | 95 | 36 | –1,6 | ±10 | 3 | TO-39 |
| IRLHUB7S970Z4 | –60 | 1350 | 2,8 | –0,53 | ±10 | Z | UB |
Комментарии