Транзисторы MOSFET от Infineon для аппаратуры ракетно-космической техники

Транзисторы MOSFET от Infineon для аппаратуры ракетно-космической техники

Компания Infineon Technologies AG (Германия) является ведущим поставщиком дискретных полупроводниковых компонентов для потребителей высоконадёжных устройств и имеет отличную репутацию в сообществе производителей аппаратуры ракетно-космической техники в течение более 40 лет.

Предлагаемые радиационно-стойкие транзисторы PowerMOS, созданные с применением уникальной технологии компании Infineon CoolMOS™, являются мировым эталоном для 250-вольтовых устройств, благодаря своим показателям радиационной стойкости и электрическим характеристикам. Уровень дозовой стойкости специфицирован до 100 крад (300 крад по запросу), гарантируется отсутствие одиночных эффектов при воздействии одиночных заряженных частиц с линейными потерями энергии ионов (при бомбардировке ионами Xe ) до 55 МэВ?см2/мг и 85 МэВ?см2/мг (при воздействии ядрами Au).

Транзисторы полностью соответствуют требованиям Европейского Космического Агентства (ЕKA) и специфицированы по стандарту ESA5000. Infineon является единственным европейским производителем радиационно-стойких транзисторов PowerMOS с блокировочным напряжением 250 В, которые удовлетворяют требованиям ЕKA (European Space Agency).

Эффективность и надёжность являются критическими параметрами для космических применений, где ограничения по габаритам и весу для всех компонентов системы требуют технических характеристик, согласованных с защитой от повреждения ионизирующим излучением космического пространства.

В 2012 году Infineon выпустил две модели 250 В транзисторов (54 A и 12,4 A) и одну модель 100 В (12,4 A) в серии радиационно-стойких PoweMOS BUY25CSXX. Устройства с током 12,4 A доступны в корпусе SMD0.5, а модели с рабочим током 54 A доступны в корпусе SMD2.

Интересным предложением являются недавно выпущенные 150 В транзисторы серии BUY15CSXX с токами 57A и 23A.

Доступны для заказа также кристаллы L5491 и L5490 для 250 В транзисторов BUY25CSXX. Предлагаются устройства для создания прототипов, а также квалифицированные для применения в полётной аппаратуре. Основное назначение предлагаемых радиационно-стойких транзисторов: применение в импульсных DC/DC-преобразователях и мостовых устройствах управления электроприводом.

Необходимо заметить, что в настоящее время российские производители радиационно-стойких полевых транзисторов с изолированным затвором не освоили производство транзисторов с рабочим напряжением 150 В, мощностями 75…85 Вт в корпусе SMD-0.5 (предлагаются транзисторы в корпусе SMD-1).

С 1 января 2016 года все радиационно-стойкие транзисторы PowerMOS возможно заказать через представителей в России подразделения International Rectifier HiRel компании Infineon TechnologiesAG, которая приобрела известного производителя силовых полупроводниковых компонентов International Rectifier (США), кстати, это единственное подразделение, которое остаётся под брендом IR в компании Infineon.

Характеристики радиационно-стойкихPowerMOS транзисторов:

Тип прибораКорпус

VDS (макс),

В

RDS (on) (тип.),

мОм

QG (макс.),

нС

ID (макс.),

A

IDpuls (макс.),

A

Ptot (макс.),

Вт

VGS (макс.),

В

BUY25CS54A-01 SMD2 250 25 180 54 214 250±20
BUY25CS12J-01 SMD0.5 250 110 42 12,4 50 75±20
BUY25CS45B-01 TO254AA 250 45 100 45 180 208±20
BUY25CS12K-01 TO257AA 250 120 42 12,4 50 75±20
BUY25CS12K-11 TO257AA 250 120 42 12,4 50 75±20
BUY15CS57A-01 SMD2 150 9 210 57 224 250±20
BUY15CS23K-01 SMD0.5 150 55 30 23 93 75±20

Prosoft.ru

Тел.: (495) 234-0636

На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.