Компания Infineon Technologies AG (Германия) является ведущим поставщиком дискретных полупроводниковых компонентов для потребителей высоконадёжных устройств и имеет отличную репутацию в сообществе производителей аппаратуры ракетно-космической техники в течение более 40 лет.
Предлагаемые радиационно-стойкие транзисторы PowerMOS, созданные с применением уникальной технологии компании Infineon CoolMOS™, являются мировым эталоном для 250-вольтовых устройств, благодаря своим показателям радиационной стойкости и электрическим характеристикам. Уровень дозовой стойкости специфицирован до 100 крад (300 крад по запросу), гарантируется отсутствие одиночных эффектов при воздействии одиночных заряженных частиц с линейными потерями энергии ионов (при бомбардировке ионами Xe ) до 55 МэВ?см2/мг и 85 МэВ?см2/мг (при воздействии ядрами Au).
Транзисторы полностью соответствуют требованиям Европейского Космического Агентства (ЕKA) и специфицированы по стандарту ESA5000. Infineon является единственным европейским производителем радиационно-стойких транзисторов PowerMOS с блокировочным напряжением 250 В, которые удовлетворяют требованиям ЕKA (European Space Agency).
Эффективность и надёжность являются критическими параметрами для космических применений, где ограничения по габаритам и весу для всех компонентов системы требуют технических характеристик, согласованных с защитой от повреждения ионизирующим излучением космического пространства.
В 2012 году Infineon выпустил две модели 250 В транзисторов (54 A и 12,4 A) и одну модель 100 В (12,4 A) в серии радиационно-стойких PoweMOS BUY25CSXX. Устройства с током 12,4 A доступны в корпусе SMD0.5, а модели с рабочим током 54 A доступны в корпусе SMD2.
Интересным предложением являются недавно выпущенные 150 В транзисторы серии BUY15CSXX с токами 57A и 23A.
Доступны для заказа также кристаллы L5491 и L5490 для 250 В транзисторов BUY25CSXX. Предлагаются устройства для создания прототипов, а также квалифицированные для применения в полётной аппаратуре. Основное назначение предлагаемых радиационно-стойких транзисторов: применение в импульсных DC/DC-преобразователях и мостовых устройствах управления электроприводом.
Необходимо заметить, что в настоящее время российские производители радиационно-стойких полевых транзисторов с изолированным затвором не освоили производство транзисторов с рабочим напряжением 150 В, мощностями 75…85 Вт в корпусе SMD-0.5 (предлагаются транзисторы в корпусе SMD-1).
С 1 января 2016 года все радиационно-стойкие транзисторы PowerMOS возможно заказать через представителей в России подразделения International Rectifier HiRel компании Infineon TechnologiesAG, которая приобрела известного производителя силовых полупроводниковых компонентов International Rectifier (США), кстати, это единственное подразделение, которое остаётся под брендом IR в компании Infineon.
Характеристики радиационно-стойкихPowerMOS транзисторов:
| Тип прибора | Корпус | VDS (макс), В | RDS (on) (тип.), мОм | QG (макс.), нС | ID (макс.), A | IDpuls (макс.), A | Ptot (макс.), Вт | VGS (макс.), В |
| BUY25CS54A-01 | SMD2 | 250 | 25 | 180 | 54 | 214 | 250 | ±20 |
| BUY25CS12J-01 | SMD0.5 | 250 | 110 | 42 | 12,4 | 50 | 75 | ±20 |
| BUY25CS45B-01 | TO254AA | 250 | 45 | 100 | 45 | 180 | 208 | ±20 |
| BUY25CS12K-01 | TO257AA | 250 | 120 | 42 | 12,4 | 50 | 75 | ±20 |
| BUY25CS12K-11 | TO257AA | 250 | 120 | 42 | 12,4 | 50 | 75 | ±20 |
| BUY15CS57A-01 | SMD2 | 150 | 9 | 210 | 57 | 224 | 250 | ±20 |
| BUY15CS23K-01 | SMD0.5 | 150 | 55 | 30 | 23 | 93 | 75 | ±20 |
Тел.: (495) 234-0636
Комментарии