26 и 27 мая компания Keysight Technologies провела в Москве двухдневный семинар, посвящённый тестированию параметров материалов и полупроводниковых устройств.
Первый день семинара был посвящён измерениям параметров материалов. Специалистами Keysight были представлены обзоры методов измерения импеданса и диэлектрических свойств материалов. Также были рассмотрены новейшие технологии измерения импеданса на примере измерений проводимости графена в частотном диапазоне от 0 до 1 ТГц.
Участники семинара могли увидеть, как проводятся измерения с помощью новейшего пакета программного обеспечения N1500A Materials Measurement Software Suite, работающего со всеми анализаторами цепей серий PNA и ENA, выбрать оптимальную конфигурацию приборов и вспомогательные принадлежности к ним. Также были представлены возможности измерений магнитных свойств материалов с помощью новейших анализаторов импеданса E4990A, E4991B и специализированной оснастки 16454A, позволяющей проводить измерения в температурном диапазоне от –55 до +150?С на частотах до 1 ГГц. Отдельный интерес вызвал раздел, посвящённый исследованиям и возможностям измерений электромагнитных свойств материалов на молекулярном и субмолекулярном уровне с помощью новейших сканирующих СВЧ-микроскопов.
Второй день был посвящён тестированию полупроводниковых устройств.
Были рассмотрены особенности измерений характеристик мощных полупроводников, построенных по новейшим технологиям (SiC, GaN), и приведён пример создания Spice-модели мощного GaN-транзистора, построенной перенесением в среду САПР IC-CAP вольтамперных и вольт-фарадных характеристик транзистора, снятых параметрическим анализатором B1505A, ВЧ-параметров транзистора, измеренных анализатором цепей PNA-X, и её дальнейшего уточнения в среде САПР ADS Design. Также были рассмотрены особенности измерения и последующего анализа в среде САПР IC-CAP низкочастотных шумов полупроводниковых устройств на примере измерительного решения на базе параметрического анализатора B1500A и гибкой модульной измерительной системы в формате PXI. Тесная связь измерений и последующего моделирования были ещё раз показаны в разделе, посвящённом нелинейному векторному анализу цепей, где демонстрировались возможности работы векторного анализатора цепей PNA-X в режиме нелинейного анализа NVNA, когда измеренные Х-параметры добавлялись в среду САПР ADS Design для дальнейшего уточнения и моделирования работы системы.
Ещё два раздела семинара были посвящены системам измерения параметров не 50-омных СВЧ-устройств на базе анализаторов цепей Keysight и трансформаторов импеданса MAURY Microwave (измерение шумовых параметров, X-параметров в импульсных режимах, измерения с переменной нагрузкой) и совместным решениям Keysight и Cascade Microsystems по измерениям параметров полупроводниковых устройств непосредственно на пластинах.
Комментарии