Созданы силиценовые транзисторы толщиной в один атом

Созданы силиценовые транзисторы толщиной в один атом

Исследователи из Техасского университета в Остине (США) создали первые транзисторы на основе силицена. Теоретически это открывает путь к созданию компьютерных чипов, которые будут значительно быстрее, компактнее и энергоэффективнее современных решений.

Силицен – это двумерное соединение кремния, подобное графену. Несмотря на потенциальную совместимость с существующей полупроводниковой техникой, получение элементов на основе силицена представляет собой крайне трудоёмкий процесс из-за сложности и нестабильности материала при воздействии воздуха.

Для получения силиценовых транзисторов толщиной в один атом американские учёные разработали новую методику. На первом этапе в вакуумной камере было осуществлено осаждение атомов кремния из разогретого пара с формированием на серебряной плёнке силиценового слоя. Далее поверх него исследователи нанесли нанометровый слой оксида алюминия. После этого полученную структуру удалось перенести на кремниевую подложку, расположив серебряной плёнкой вверх. Наконец, на заключительном этапе путём высокоточного скобления серебряной плёнки учёные смогли сформировать транзисторы.

Разумеется, пока говорить о практическом использовании силиценовых транзисторов рано, но исследователи намерены продолжить свои изыскания. Не исключено, что в перспективе результаты работы помогут в создании сверхбыстрых и экономичных компьютерных чипов.

MIT Technology Review


Поделиться:


Комментарии

Текст сообщения*
Защита от автоматических сообщений
 


На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.