Радиационно-стойкий драйвер с двумя выходами для транзисторов MOSFET

Радиационно-стойкий драйвер с двумя выходами для транзисторов MOSFET

Компания International Rectifier, HiRel Products, An Infineon Technologies Company (США), специализирующаяся в производстве компонентов для авиационно-космических и других ответственных применений, объявила о начале выпуска радиационно-стойкой быстродействующей микросхемы драйвера RIC74424H для транзисторов MOSFET предназначенной для применения в бортовом оборудовании космических аппаратов и транспортных космических кораблей. Этот промежуточный токовый драйвер разработан специально для управления всеми транзисторами MOSFET компании International Rectifier, где крайне важным является сверхбыстрая скорость переключения и быстрая передача времени отклика для повышения эффективности схемы.

Драйвер совместим с большей частью логических устройств и может управляться непосредственно стандартными широтно-импульсными модуляторами, такими как стандартными в промышленности сериями 1825, 1844 и 1856. Микросхема драйвера RIC74424H доступна в корпусе с 8 выводами для поверхностного монтажа Flatpack и в виде кристалла в бескорпусном исполнении.

Драйвер разработан, чтобы отвечать требованиям к радиационной стойкости без каких-либо отклонений от номинальных значений параметров. Микросхемы доступны в исполнении Class S по техническим условиям MIL-PRF-38535: задают требования к отбраковке для высоконадёжных космических применений, как это задано в стандарте MIL-STD-883 и предназначены для применений в космической аппаратуре.

Основные характеристики драйвера транзисторов MOSFET:

  • пиковый ток управления 3 А;
  • широкий диапазон напряжения питания от 5 до 20 В;
  • управляющее напряжение совместимо с MOSFET с логическим управлением и традиционным управлением;
  • низкое значение потребляемой мощности;
  • время задержки прохождения сигнала от входа к выходу ton/toff: 110/90 нс
  • суммарное значение поглощённой дозы 100 крад;
  • стойкость к воздействиям тяжёлых заряженных частиц по эффектам одиночных сбоев и тиристорных эффектов при пороговом значении (ЛПЭ) иона 60 МэВ×см2 /мг;
  • невосприимчивость к длительному воздействию низкой мощности дозы (Enhanced Low Dose Radiation Sensitivity – ELDRS) до предельной накопленной дозы 50 крад.

Основные применения:

  • источники питания с коммутацией силовых ключей;
  • DC/DC-преобразователи;
  • устройства управления электромоторами.

www.irf.com

На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.