Исследователи из университета Арканзаса разработали и изготовили опытные образцы карбид-кремниевых интегральных схем (чипов), способных сохранять работоспособность при температурах превышающих 350 градусов по шкале Цельсия. Результаты этой работы, финансируемой американским Национальным научным фондом (National Science Foundation, NSF), могут привести к появлению новых типов микропроцессоров, памяти, интерфейсов и других аналоговых и цифровых схем, использующихся в силовой, автомобильной, авиационной электронике и космической технике, которые должны обеспечивать надёжную работу даже в самых чрезвычайных условиях окружающей среды.
Основой новых чипов является карбид кремния (silicon carbide, SiC), прочный полупроводниковый материал, способный выдержать значительные механические нагрузки. Этот материал является хорошим проводником тепла и может работать при высоких температурах, что исключает необходимость его охлаждения. Используя ряд новых методов проектирования, группа Алана Мантута разработала множество различных электронных схем, работающих с аналоговыми, цифровыми и смешанными сигналами, набор стандартных блоков, из которых в дальнейшем будут составляться схемы более сложных электронных устройств, в том числе и микропроцессоры.
Данная работа была проведена в рамках программы Building Innovation Capacity, которая является своего рода «мостом» между коллективами академических и исследовательских научных учреждений и компаниями промышленного сектора. Следуя цели вышеупомянутой программы, разработка учёных из университета Арканзаса была передана в распоряжение двух технологических фирм – Ozark Integrated Circuits и Arkansas Power Electronics International Inc (APEI), которые действуют под руководством известной оборонной компании Raytheon. Компания Ozark будет заниматься дальнейшей коммерциализацией и расширением возможностей разработанной технологии, а компания Arkansas Power Electronics International сосредоточится в направлении использования высокотемпературных полупроводниковых приборов и устройств в промышленной силовой электронике.
Комментарии