Компания ЗАО «КАДФЕМ Си-Ай-Эс» приглашает принять участие в 12-й международной конференции пользователей ANSYS/CADFEM, которая пройдёт с 14 по 16 октября 2015 г. по адресу: г. Москва, гостиница «Holiday Inn Сокольники», Русаковская ул., д.24.Компания ЗАО «КАДФЕМ Си-Ай-Эс» приглашает принять участие в 12-й международной конференции пользователей ANSYS/CADFEM, которая пройдёт с 14 по 16 октября 2015 г. по адресу: г. Москва, гостиница «Holiday Inn Сокольники», Русаковская ул., д.24.
На сегодняшний день программный комплекс ANSYS обладает широким спектром возможностей для расчёта различной электроники и электротехники:
- Моделирование ВЧ/СВЧ радиоэлектронной аппаратуры, антенн и фидерных трактов.
- Анализ целостности сигнала и питания печатных плат и корпусов интегральных схем.
- Разработка электромеханических устройств, таких как электродвигатели, трансформаторы, датчики, МЭМС.
- Расчёт систем охлаждения радиоэлектронной аппаратуры и электродвигателей.
На конференции будут представленны разнообразные доклады участников и специалистов компании КАДФЕМ, включающие обзор обновлений программных продуктов ANSYS, практические советы пользователей, работающих в различных отраслях, а также мастер-классы и обсуждение наиболее актуальных тем. В выставочной зоне конференции будет представлена обширная Демо-зона, где участники смогут лично пообщаться и обсудить интересующие вопросы со специалистами компании КАДФЕМ.
Участие в конференции можно принять и как эксперт по численному моделированию, и как начинающий пользователь или специалист, заинтересованный в использовании программных продуктов ANSYS.
Организаторы Конференции предлагают также выступить с докладом в секции «Электромагнитный анализ и радиоэлектроника». Для этого нужно прислать тезисы доклада до 25 сентября 2015 г. и получить скидку на участие в Конференции. Все докладчики участвуют в номинации «Лучший доклад конференции», победители которой получат ценные призы от КАДФЕМ и партнёров конференции.
Узнать подробнее и ознакомиться с программой Вы можете на сайте конференции.
Комментарии