Intel и Micron разработали память в 1000 раз быстрее NAND

На IDF 2015 компании Intel и Micron сообщили о завершении разработки нового класса памяти 3D XPoint. Передовая технология позволяет сделать накопители до 1000 раз быстрее (их скорость измеряется в десятках наносекунд, а не микросекунд, как в NAND) и до 1000 раз выносливее. Кроме того, 3D XPoint позволяет добиться в 10 раз более плотного размещения, чем в существующих аналогах.

Intel Optane – именно так будет называться новая технология – позволит создавать высокопроизводительные накопители. По предварительным данным, накопители на базе этой технологии будут обладать существенными преимуществами по сравнению с традиционными SSD. Например, они обеспечат 7,2-кратный прирост производительности в операциях ввода-вывода при малой очереди запросов и 5,21-кратный – при большой очереди запросов. Ещё одно преимущество Optane – жизненный цикл накопителей существенно увеличится, а проблема износа ячеек с невозможностью последующей записи в них исчезнет.

В линейке ожидаются варианты как для дата-центров, так и для ноутбуков, в форм-факторах M.2 и U.2, причём как с интерфейсом SATA, так и с DDR4. У Intel пока нет планов по передачи технологии каким-либо другим производителям: мощностей Micron на данный момент хватит для обеспечения рынка. Разработчики 3D Xpoint считают технологию самым значимым прорывом со времён появления 25 лет назад технологии NAND, которая до сих пор лежит в основе флэшек и SSD.

Новая память займёт место где-то между NAND и DRAM (основа оперативной памяти): до скорости последней новая разработка не дотягивает, но при этом энергонезависима. Глава Intel Брайан Кржанич считает, что полностью раскрыть возможности 3D Xpoint можно только изменив архитектуру компьютеров и операционных систем.

www.pcweek.ru

На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.