Современные техпроцессы класса FinFET великолепно справляются с задачей снижения уровня энергопотребления микрочипов и при этом способствуют повышению частотного потенциала. К сожалению, ничто не даётся даром – разработка и производство микросхем, использующих FinFET, является крайне дорогим удовольствием, которое могут позволить себе далеко не все разработчики современной микроэлектроники.
На помощь им может прийти компания GlobalFoundries, в настоящее время рассматривающая возможность внедрения новой технологии – 22-нм FD SOI, которая обещает быть существенно дешевле FinFET, но при этом обеспечит сопоставимые характеристики.
Расшифровывается FD SOI, как Fully Depleted Silicon-on-Insulator (полностью обеднённый кремний-на-изоляторе). Этот техпроцесс также гарантирует высокие тактовые частоты и минимальное энергопотребление в режиме простоя, что важно для компактных устройств, решений класса «Интернет вещей» и прочей носимой электроники. С точки зрения стоимости разработки, 22-нанометровый техпроцесс FD SOI сопоставим с классической 28-нанометровой технологией, и, соответственно, намного дешевле технологии 14-нм FinFET. Разработчики GlobalFoundries надеются, что им удастся довести 22-нанометровую технологию FD SOI до уровня, при котором она успешно сможет конкурировать по параметрам с техпроцессами класса FinFET.
Как заявил представитель компании, Джейсон Горсс (Jason Gorss), в настоящее время GlobalFoundries оценивает возможности внедрения нового техпроцесса, но пока не готова раскрывать свои платы в деталях. Он отметил также, что техпроцесс FD SOI проще в реализации, нежели FinFET, как минимум за счёт использования масок с меньшим количеством слоёв. На словах заявление GlobalFoundries выглядит многообещающе, но пока не известно, будет ли новый недорогой техпроцесс вообще реализован на практике и смогут ли получить к нему доступ разработчики, которым такой техпроцесс жизненно необходим.
3Dnews со ссылкой на KitGuru.net
Комментарии