На базе Омского НИИ приборостроения создан Центр по проектированию и изготовлению радиоэлектронных компонентов класса «система-на-кристалле».На базе Омского НИИ приборостроения создан Центр по проектированию и изготовлению радиоэлектронных компонентов класса «система-на-кристалле».
Центр ориентирован на разработку высокоинтегрированной электронной компонентной базы для производства систем и комплексов радиоэлектронной связи, в том числе специального назначения. Ввод его в эксплуатацию позволяет увеличить выпуск импортозамещающей продукции микросистемотехники и снизить зависимость российской радиоэлектроники от поставок комплектующих из-за рубежа.
Губернатор Омской области Виктор Назаров побывал в Центре в день открытия и ознакомился с его возможностями. По словам главы региона, созданный Центр является одним из инфраструктурных элементов кластера высокотехнологичных компонентов и систем Омской области и серьёзным шагом к созданию технопарка микроэлектроники.
«Полгода назад на совещании с руководителями предприятий оборонно-промышленного комплекса была поставлена задача – создать технопарк по разработке и производству инновационной элементной базы. Сегодня мы видим первую ласточку. Ещё минимум два проекта будут встроены в процесс развития технопарка. Создание технологического парка будет способствовать достижению целей Стратегии социально-экономического развития региона до 2025 года, так как направлено на развитие научной и инновационной инфраструктуры, объединение усилий научно-технических комплексов, развитие высокотехнологических производственных мощностей в слиянии с наукой и системой профессионального образования», – подчеркнул губернатор Виктор Назаров. Реализация проекта создания технопарка обеспечивает мультипликативный эффект, так как подразумевает создание новых рабочих мест, появление новых предприятий малого и среднего бизнеса, развитие передовых отраслей промышленности, увеличение налоговых отчислений в бюджеты всех уровней.
Генеральный директор «Омского НИИ приборостроения» Владимир Березовский отметил, что создаваемый высокотехнологичный парк радиоэлектроники – уникальный проект, не имеющий аналогов за Уралом. Объём капитальных вложений в реализацию проекта создания технопарка радиоэлектроники оценивается в сумму более 1,3 млрд рублей. Планируемый годовой объём выпуска продукции – не менее 3 млрд рублей. Полностью сформировать технопарк предполагается к 2018 году.
Центр по проектированию и изготовлению радиоэлектронных компонентов класса «система-на-кристалле» стал первой очередью промышленного парка по разработке и производству радиоэлектронных компонентов для специальных средств связи и микро- и функциональной электроники. Второй этап – создание производственно-технологической линии по изготовлению и корпусированию изделий по технологии «система-в-корпусе» на основе «систем-на-кристалле» в производственном объединении «Иртыш» (2015–2018 годы). Третий – формирование на базе ОмПО «Иртыш» комплекса с размещёнными на его территории офисными, лабораторными, выставочными, рекреационными и иными площадками для инновационных компаний и проектов (2016–2018 годы).
Комментарии