Qualcomm Technologies подписала технологическое соглашение с институтом CEA-Leti (Франция). Цель договорённости – оценка возможности реализации последовательной 3D-технологии, разработанной французским научным центром.
В последние годы Leti активно работает над новой технологией 3D-интеграции, которая называется последовательной 3D-интеграцией и позволяет осуществлять укладку активных слоёв транзисторов в третьем измерении.
Это технология не является аналогом 3D-TSV, которую используют компании Samsung, ST и TSMC.
Последовательная 3D-технология Leti даёт возможность обрабатывать все функции в одном потоке производства полупроводников, т.е. осуществлять соединения активных областей на уровне транзисторов, делая это с более высокой плотностью, чем позволяет стандартный процесс литографии.
По мнению специалистов Leti, новая технология обеспечит 50% преимущество по площади и 30% – по быстродействию по сравнению с аналогичной классической 2D-технологией того же поколения.
Договорённость между Leti и Qualcomm позволит осуществить независимое тестирование этой технологии в контексте практического применения.
Комментарии