Компания Cree представила семейство СВЧ-транзисторов с расширенным диапазоном частот для применения в сотовых сетях четвёртого поколения.Компания Cree представила семейство СВЧ-транзисторов с расширенным диапазоном частот для применения в сотовых сетях четвёртого поколения.
Новые полупроводниковые приборы, относящиеся к классу ВПЭ-транзисторов (HEMT), разработаны на основе структур нитрида галлия (GaN).
Представленные инновационные компоненты были выпущены компанией Cree в ответ на потребность телекоммуникационной отрасли в расширении полосы пропускания приёмопередающего оборудования. По мере увеличения потоков данных через LTE-сети рынку потребовались решения, способные поддерживать корректную работу беспроводных сетей доступа в зонах высокого трафика. Новые СВЧ-транзисторы Cree предназначены, в частности, для базовых станций малых сот, которые всё чаще применяются в современных гетерогенных сетях для улучшения их производительности.
Новые HEMT-транзисторы, по данным производителя, способны обеспечивать самые высокие в отрасли значения пропускной способности и КПД. Кроме того, они позволят уменьшить габариты и массу передатчиков, а также упростить решение проблемы теплового режима. Это поможет телекоммуникационным операторам сократить потребление энергии, снизив тем самым эксплуатационные расходы.
Новые транзисторы разработаны на основе GaN-технологии, преобладающей сегодня на рынке активных электронных компонентов. По словам одного из руководителей СВЧ-направления компании Cree, транзисторы на базе этой технологии способны удовлетворить все требования к базовым станциям малых сот, обладая высокой пропускной способностью, гибкостью, эффективностью и ценовой доступностью. Новинки Cree призваны стать коммерчески выгодной заменой транзисторов на основе кремния или арсенида галлия.
Представленное семейство HEMT-изделий на основе GaN с толщиной затвора 0,4 мкм включает в себя транзисторы мощностью 15 и 30 Вт и напряжением питания 28 и 50 В. Изделия собраны в пластиковом безвыводном корпусе (DFN) для поверхностного монтажа. Новые транзисторы работают в диапазоне частот от 700 МГц до 3,8 ГГц и могут быть оптимизированы для произвольных полос внутри этого диапазона. Поддержка многополосности обеспечивает гибкость применения этих компонентов и поможет производителям базовых станций ускорить вывод разработок на рынок, а операторам беспроводных сетей - перенастроить систему малых сот под меняющиеся требования рынка.
Чтобы наглядно продемонстрировать высокую эффективность GaN-технологии, специалисты компании Cree реализовали схему усилителя Догерти с использованием новых транзисторов. Этот тип усилителей широко применяется в оборудовании радиопередающих станций. Схема нового усилителя CDPA27045 обеспечивает КПД стока транзисторов примерно 50% при средней мощности 10 Вт и отношению пикового значения мощности LTE-сигнала к среднему – 7,5 дБ. При этом она охватывает полосу частот в диапазоне от 2,5 до 2,7 ГГц при коэффициенте усиления 16 дБ.
ПРОЧИП, официальный дистрибьютор СВЧ-продукции Cree, уже сегодня предлагает для заказа новые модели транзисторов: CGH27030S (30 Вт, 28 В), CGHV27015S (15 Вт, 50 В) и CGHV27030S (30 Вт, 50 В).
Тел.: (495) 234-0636
Комментарии