Infineon Technologies: силовые MOSFET–транзисторы CoolMOS™ CE для энергоэффективных систем светодиодного освещения

Infineon Technologies: силовые MOSFET–транзисторы CoolMOS™ CE для энергоэффективных систем светодиодного освещения

Новые силовые MOSFET–транзисторы от компании Infineon с напряжением сток-исток 800 В, выполненные по технологии CoolMOS™ CE, специалльно разработаны для систем твёрдотельного освещения.

Благодаря низкому сопротивлению открытого канала RDS(ON) транзисторы обеспечивают меньшие потери на проводимость и переключение, что позволяет повысить эффективность, уменьшить размеры, увеличить яркость и снизить тепловыделение системы светодиодного освещения. Выполненные на основе революционного техпроцесса Суперперехода (Superjunction), новые быстродействующие 800-вольтовые MOSFET–транзисторы серии CoolMOS™ CE компании Infineon отличаются превосходным соотношением цена/производительность и лёгкостью применения, обеспечивая конкурентное преимущество на быстрорастущем рынке светодиодных приборов освещения.

Отличительные особенности:

  • низкое сопротивление открытого канала RDS(ON);
  • минимальное значение запасённой энергии в выходной ёмкости транзистора (EOSS) при напряжении сток-исток 400 В;
  • низкий заряд затвора (Qg);
  • высокая эффективность технологии CoolMOS™, проверенная временем.

Область применения:

  • светодиодное освещение.

Преимущества:

  • высокая эффективность и плотность мощности;
  • высокая надёжность;
  • лёгкость применения;
  • превосходное соотношение цена/производительность.

Ebvnews.ru

На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.