Новые силовые MOSFET–транзисторы от компании Infineon с напряжением сток-исток 800 В, выполненные по технологии CoolMOS™ CE, специалльно разработаны для систем твёрдотельного освещения.
Благодаря низкому сопротивлению открытого канала RDS(ON) транзисторы обеспечивают меньшие потери на проводимость и переключение, что позволяет повысить эффективность, уменьшить размеры, увеличить яркость и снизить тепловыделение системы светодиодного освещения. Выполненные на основе революционного техпроцесса Суперперехода (Superjunction), новые быстродействующие 800-вольтовые MOSFET–транзисторы серии CoolMOS™ CE компании Infineon отличаются превосходным соотношением цена/производительность и лёгкостью применения, обеспечивая конкурентное преимущество на быстрорастущем рынке светодиодных приборов освещения.
Отличительные особенности:
- низкое сопротивление открытого канала RDS(ON);
- минимальное значение запасённой энергии в выходной ёмкости транзистора (EOSS) при напряжении сток-исток 400 В;
- низкий заряд затвора (Qg);
- высокая эффективность технологии CoolMOS™, проверенная временем.
Область применения:
- светодиодное освещение.
Преимущества:
- высокая эффективность и плотность мощности;
- высокая надёжность;
- лёгкость применения;
- превосходное соотношение цена/производительность.
Комментарии