Ведущая контрактная полупроводниковая кузница TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.) сообщает о создании трёх пакетов проектирования чипов с использованием так называемых 3D-транзисторов FinFET. Это даёт возможность конструкторам чипов получить доступ к 16-нм FinFET-технологии TSMC и создавать кристаллы с технологией TTS (Through-Transistor-Stacking).
Intel была пионером в области коммерческого внедрения FinFET-транзисторов и до сих пор остаётся единственной компанией, обладающей этим технологическим процессом.
Однако TSMC подписала трёхлетний контракт на производство чипов Apple, некоторые их которых будут использовать FinFET. Использование 3D-транзисторов позволяет получить заметные преимущества как в вопросах физического масштабирования, так и энергопотребления.
Производители САПР электроники (EDA) сотрудничали с TSMC в разработке и проверке упомянутых маршрутов проектирования на различных чипах. Например, 16-нм FinFET-маршрут проектирования использовал многоядерный процессор ARM Cortex-A15 в качестве тестового образца для сертификации.
Комментарии