Samsung открыл эру памяти на 3D-чипах 22.08.2013

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства новых чипов флэш_памяти NAND ёмкостью 16 ГБ. Впервые в новых микросхемах в промышленных масштабах реализована технология размещения ячеек в объёмной структуре 3D V-NAND.

До сегодняшнего дня флэш-память представляла собой планарную, двухмерную структуру ячеек, и повышать плотность хранения информации позволяло уменьшение технологического процесса производства. С приближением технологического процесса к 10-нм норме между ячейками памяти стала возникать интерференция, в результате чего надёжность хранения данных снизилась ниже допустимого предела.

Технология 3D V-NAND призвана разрешить эту проблему: открыть новый способ повышения плотности хранения данных в дальнейшем, сохранив такую технологическую норму, которая обеспечит необходимый уровень надёжности.

В новых чипах памяти, выполненных по технологии 3D V-NAND, ячейки расположены по отношению друг к другу в трёх измерениях. Соединение ячеек по вертикали обеспечивается специальными проводниками. В одной микросхеме может быть до 24 слоев с ячейками.

В Samsung утверждают, что при помощи 3D V-NAND можно добиться 8-кратного увеличения ёмкости. Однако новая технология позволяет не только повысить плотность, но и получить гораздо более высокую надёжность (в 2–10 раз) по сравнению с NAND-памятью, выполненной на базе 10-нм техпроцесса. Кроме того, 3D V-NAND обеспечивает более высокую скорость записи.

Новая память подходит для устройств различного типа: она может использоваться как в потребительской электронике, так и промышленном оборудовании, включая твёрдотельные накопители. В будущем Samsung планирует расширять портфель продукции с технологией 3D V-NAND.

www.samsung.com