Компания International Rectifier, IR®, мировой лидер в технологии управления электропитанием, представляет два высокоэффективных радиационно-стойких (RAD_Hard) силовых транзистора MOSFET, выполненных по технологии R8. Новые приборы оптимизированы для применения в регуляторах напряжения космического уровня качества локализованных к нагрузке (point_of_load, POL).
Новые силовые транзисторы MOSFET R8 с логическим уровнем управления используют технологию trench (канавочная), которая обеспечивает чрезвычайно низкое сопротивление канала в открытом состоянии RDS(on) 12 мОм (тип.) и значение полного заряда затвора 18 нКл (типичное значение), повышение значение КПД на 6% по сравнению с существующими решениями. Модель IRHLNM87Y20SCS имеет значение BVDSS 20 В и максимальное значение тока стока (ID) 17 A. Представленные устройства доступны в новых корпусах SMD 0.2 для поверхностного монтажа, обеспечивающих 50%-ную экономию площади по сравнению существующим решением в корпусе SMD 0.5. Устройства также предлагаются в корпусе TO_39 и в виде кристалла в бескорпусном исполнении для применений в конструкциях микросхем.
Изделия полностью квалифицированны по показателям радиационной стойкости: значение суммарной поглощённой дозы 300 крад (Si), гарантируется отсутствие одиночных эффектов при воздействии протонов и ионов с пороговыми линейными потерями 81 МэВ•см2/мг при номинальном значении напряжения VGS 12 В. В зависимости от планируемой орбиты и ожидаемой радиационной обстановки транзисторы RAD-Hard MOSFET R8 могут применяться в приложениях, требующих срока активного существования миссии – 15 лет и более.
Технические характеристики представлены в таблице.
| Заказной код | Корпус | НапряжениеBVDSS, В | Ток стокаID, А | СопротивлениеRDS (on), мОм | Заряд затвора QG, нК | Rth(J-C),?C/Вт |
| IRHLNM87Y20SCS | SMD 0.2 | 20 | 17 | 15 | 24 | 3,5 |
| IRHLF87Y20SCS | TO-39 | 32 | 27 | 8 |
Комментарии