Компания Cadence Design Systems подготовила материалы для передачи в производство опытного образца кристалла, на котором должна быть реализована процессорная микросхема на основе транзисторов FinFET (Fin Field Effect Transistor, транзисторы с трёхмерной структурой затвора) с топологической нормой 14 нм и на основе технологического процесса кремний-на-изоляторе (SOI).
Выполненная в Cadence работа – это один из этапов совместного проекта ARM, Cadence и IBM по созданию новой технологии производства высокопроизводительных и энергоэффективных микросхем на основе IP-блоков ARM (Artisan Physical IP), инструментария проектирования Cadence и производственного процесса, созданного IBM.
Целью работы Cadence является проверка возможности проектирования 14-нанометровых микросхем на основе IP блоков платформы ARM Artisan и инструментария Cadence (Encounter Digital Implementation System и Virtuoso). Для этого в конструкции опытной микросхемы будет реализован процессор с архитектурой ARM Cortex-M0, память SRAM и некоторые другие блоки, измерения на наборе которых и позволят сделать необходимые выводы.
Комментарии