Компания CREE объявила  о выходе двух новых  GaN-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) 08.10.2013 Основной областью применения новинок (CGHV14250 и CGHV14500) с выходной мощностью 250 и 500 Вт соответственно, являются радары L-диапазона с рабочими частотами 1,2...1,4 ГГц.

Основной областью применения новинок (CGHV14250 и CGHV14500) с выходной мощностью 250 и 500 Вт соответственно, являются радары L-диапазона с рабочими частотами 1,2...1,4 ГГц.

Новые транзисторы CREE по сравнению с существующими компонентами обладают повышенной эффективностью при температуре 85°C, высоким коэффициентом усиления по мощности, а также широкой пропускной способностью. Это позволяет улучшить характеристики специального оборудования, работающего в диапазоне частот от UHF до 1,8 ГГц: радионавигационных систем ближнего действия (TACAN), радиолокационных систем опознавания самолётов и кораблей типа «свой-чужой» (IFF) и других военных телеметрических систем.

С помощью новых транзисторов, основанных на технологии GaN на SiC с рабочим напряжением 50 В и толщиной затвора 0,4 мкм, специалисты-разработчики могут получить отличные показатели мощности и малые искажения, связанные, например, с изменениями формы сигнала.

Данные компоненты имеют предварительное согласование на входе, собраны в металлокерамических фланцевых корпусах или корпусах таблеточного типа, которые значительно меньше, чем аналогичные СВЧ-компоненты на основе арсенида галлия (GaAs) или кремния (Si), что даёт возможность обеспечить гибкий подход в проектировании новых решений.

Основные характеристики анонсируемых приборов представлены в таблице.

Параметр/ТранзисторCGHV14250CGHV14500
Типичная выходная мощность, Вт330500
Коэффициент усиления, дБ1817
Типовой КПД стока, %7770

 

Образцы новых транзисторов можно заказать у официального дистрибьютора CREE Microwave в России и странах СНГ – компании ПРОСОФТ.

www.prosoft.ru

Тел.: (495) 234-0636