Мощные SiC-элементы на номинальный ток 50 A 04.07.2012

В компании Cree имеется семейство карборундовых (SiC) элементов на номинальный ток 50 A, в том числе Z-FET SiC-MOSFET на 1700 В. К этим элементам относятся также Z-FET SiC-MOSFET 1200 В и три Z-Rec карборундовых диода Шоттки. Элементы к бескорпусном исполнении рассчитаны на модули высокой мощности, применяющиеся в инверторах гелиотехничесого оборудования, в системах бесперебойного питания и в приводах.

Серия включает в себя МОП-транзистор 1700 В с 40 мОм, МОП-транзистор 1200В с 25 мОм, а также диоды Шоттки на 50 A/1700 В, 50 A/1200 В
и 50 A/650 В. Образцы уже предлагаются, поставка производственных партий ожидается с осени 2012 г.

www.cree.com