Cree выпускает 50-В GaN HEMT-транзисторы, значительно снижающие энергопотребление сетей сотовой связи

Cree выпускает 50-В GaN HEMT-транзисторы, значительно снижающие энергопотребление сетей сотовой связи Компания Cree представляет линейку новых GaN HEMT-устройств c рабочим напряжением в 50 В, позволяющих значительно снизить расход энергии на питание сетей сотовой связи.

Компания Cree представляет линейку новых GaN HEMT-устройств c рабочим напряжением в 50 В, позволяющих значительно снизить расход энергии на питание сетей сотовой связи.

По приблизительным оценкам, мировая сотовая сеть потребляет более
100 ТВт/ч электричества в год (приблизительно 12 млрд. долл.), причём около 50…80% потребляемой энергии приходится на усилители мощности и инфраструктуру питания.

Использование новой, инновационной технологии Cree в усилителях мощности на базовых радиостанциях дало повышение энергоэффективности более чем на 20% по сравнению с нынешней технологией, работающей с
4G-сигналом на частоте 2,6 ГГц. Возросшая эффективность усилителей мощности может сохранить в сумме 10 ТВт/ч, что сопоставимо с мощностью двух АЭС.

Значительный выигрыш в цене возможен не только благодаря сокращению расхода энергии, но и, в том числе, благодаря снижению стоимости самой системы. Высокоэффективный усилитель позволит изготовителям уменьшить затраты на оборудование, упростив системы охлаждения.

Кроме того, высоковольтные GaN-компоненты могут снизить стоимость преобразователей переменного и постоянного тока. В целом цена на материалы может быть сокращена приблизительно на 10%, что значительно повлияет на стоимость всей системы.

HEMT-транзисторы фирмы Cree с рабочим напряжением 50 В на основе нитрида галлия с выходной мощностью в 100 и
200 Вт выпускаются в двух частотных диапазонах: 1,8…2,2 ГГц и 2,5…2,7 ГГц. Внутренняя структура устройств выполнена с учётом максимальной производительности, что позволяет достичь значительной мгновенной ширины полосы частот.
50-вольтовые HEMT-транзисторы на основе нитрида галлия фирмы Cree идеальны для использования в высокоэффективных усилителях Догерти, где могут быть достигнуты усиления свыше 18 дБ при 2,14 ГГц и 16 дБ
при 2,6 ГГц.

«Мы считаем, что наши 50-вольтовые HEMT-продукты на основе нитрида галлия могут оказать значительное влияние не только на стоимость производства, но и снизить глобальное энергопотребление», – объяснил Джим Миллиган, коммерческий директор Cree. «Несколько крупных производителей оборудования для коммуникаций уже внедрили низковольтные образцы нашей технологии в целях реализации этих преимуществ. На данный момент, по нашим оценкам, первые результаты позволили компаниям сохранить 2400 МВт/ч. Производство такого количества энергии сопровождается выбросом около 1400 м3 CO2 в атмосферу», – уточнил он.

Новые HEMT-транзисторы с рабочим напряжением в 50 В на основе нитрида галлия доступны в качестве образцов, серийное производство начнётся в ноябре 2012 г.

Более подробно о данной продукции вы можете узнать у официального дистрибьютора Cree Microwave в России и странах СНГ – компании ПРОСОФТ.

www.prochip.ru

Тел.: (495) 232-2522

На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.