Транзисторы MOSFET в новом корпусе SMD0.2 радикально уменьшают размеры и вес системы в высоконадёжных космических применениях

29.04.2011 Компания International Rectifier начала поставки семейства герметичных радиационно-стойких (RAD-Hard™) транзисторов MOSFET с напряжением открытого транзистора 100 В в новом компактном корпусе SMD0.2 для поверхностного монтажа. Транзисторы предназначены для применения в аппаратуре космических аппаратов, такой как силовые системы промежуточной шины и полезная нагрузка источников питания.

Компания International Rectifier начала поставки семейства герметичных радиационно-стойких (RAD-Hard^™) транзисторов MOSFET с напряжением открытого транзистора 100 В в новом компактном корпусе SMD0.2 для поверхностного монтажа. Транзисторы предназначены для применения в аппаратуре космических аппаратов, такой как силовые системы промежуточной шины и полезная нагрузка источников питания.

В новом, защищённом патентом, герметичном, компактном корпусе SMD0.2 применяется керамика из AlN (нитрид алюминия) для повышения теплопроводности; корпус разработан специально для радиационно-стойких транзисторов MOSFET для удовлетворения запросов разработчиков силовой электроники, требующих уменьшенного веса и размеров системы. С габаритами 8 x 5 x 3 мм, весящий всего лишь 0,25 г, корпус SMD.02 для поверхностного монтажа на 50% меньше и на 75% легче по сравнению с существующими корпусами SMD0.5, при этом значение рассеивающей мощности одинаковое – около 23 Вт.

Это новое семейство устройств сочетает опыт IR в создании технологии радиационно-стойких транзисторов MOSFET с новаторской патентованной технологией герметизации, чтобы помочь разработчикам справиться с проблемами при разработке аппаратуры для космических применений, которая требует меньших по размерам, более лёгких, высоконадёжных системных решений.

Новые MOSFET используют проверенную технологию компании Rad-Hard MOSFET. Доступны модели со значениями накопленной дозы 100 крад (Si) и 300 крад (Si), отсутствием одиночных эффектов (SEE) при пороговых линейных потерях энергии (ЛПЭ) иона в веществе до 85 МэВ см²/мг. Доступны устройства со стандартными каналами n- и p-типа. Транзисторы с рабочим напряжением более 100 В также доступны по запросу. Корпус SMD0.2 доступен с металлической или керамической крышкой.

www.prochip.ru

Тел.: (495) 232-2522