Компания International Rectifier объявила о начале поставок силовых транзисторов MOSFET DirectFET®2 (второго поколения), оптимизированных для преобразования DC/DC в автомобилях с двигателями внутреннего сгорания, гибридных и электрических автотранспортных средствах.
Компания International Rectifier объявила о начале поставок силовых транзисторов MOSFET DirectFET®2 (второго поколения), оптимизированных для преобразования DC/DC в автомобилях с двигателями внутреннего сгорания, гибридных и электрических автотранспортных средствах.
Новые серии включают AUIRL7732S2 MOSFET и AUIRL7736M2 MOSFET с 40-вольтовым уровнем управления затвором, оптимизированные для минимизации потерь переключения и проводимости в DC/DC-преобразователях. Устройства могут быть также использованы в большей части применений с тяжёлыми нагрузками, такими как приводы инверторов в насосах и вентиляторах и замены реле в распределительных коробках.
«Новая конструкция корпуса транзистора DirectFET2 обеспечивает низкое значение сопротивления в открытом состоянии и в 10 раз меньшую паразитную индуктивность, чем у корпусов D2Pack, что обеспечивает превосходные показатели высокой частоты переключения с пониженными затухающими колебаниями и помогает ограничить электромагнитные помехи и размеры фильтра. Достоинством также является отвод тепла с двух сторон и низкое сопротивление в открытом состоянии. Новые автомобильные комплекты DirectFET2 являются идеальным решением для преобразования постоянного напряжения», – заявил Benjamin Jackson, менеджер по продукции подразделения компонентов для автомобильного электрооборудования компании IR.
Транзистор MOSFET AUIRL7732S2 с логическим уровнем управления характеризуется низким значением заряда затвора (Qg) и площадью основания на 38% меньшей, чем у корпуса SO-8, что делает их применимыми в понижающих преобразователях с синхронным выпрямлением в качестве выпрямителей. Транзистор MOSFET AUIRL7736M2 предназначен для применения в качестве синхронного выпрямителя и характеризуется низким значением сопротивления открытого канала Rds(on)(2,2 мОм) и площадью основания с размерами, равными площади 5 x 6 мм корпуса PQFN или посадочного места корпуса SO-8. Небольшая индуктивность AUIRL7732S и AUIRL7736M2 обеспечивает лучшие показатели переключения при более высоких частотах, чем у традиционных транзисторов MOSFET.
Линия продукции DirectFET2 для автомобильного электрооборудования создана с целью производства продуктовой платформы, специально разработанной для автомобильных применений.
Тел.: (495) 232-2522
Комментарии