Транзисторы MOSFET для применения в автомобильном электрооборудовании с рабочими напряжениями от 40 до 120 В обеспечивают эталонное значение сопротивления открытого канала

Транзисторы MOSFET для применения в автомобильном электрооборудовании с рабочими напряжениями от 40 до 120 В обеспечивают эталонное значение сопротивления открытого канала Компания International Rectifier, IR®, мировой лидер в инженерных и технологических решениях для управления питанием и мощностью, представила семейство транзисторов MOSFET с эталонным сопротивлением открытого канала RDC(ON)для применения в ряде приложений, включая электромеханический усилитель руля, интегрированный стартер с генератором переменного тока, управления бензонасосом и электродвигателями, а также другие энергоёмкие нагрузки в гибридных транспортных средствах и платформах с двигателями внутреннего сгорания.

Компания International Rectifier, IR®, мировой лидер в инженерных и технологических решениях для управления питанием и мощностью, представила семейство транзисторов MOSFET с эталонным сопротивлением открытого канала RDC(ON)для применения в ряде приложений, включая электромеханический усилитель руля, интегрированный стартер с генератором переменного тока, управления бензонасосом и электродвигателями, а также другие энергоёмкие нагрузки в гибридных транспортных средствах и платформах с двигателями внутреннего сгорания.

Новое семейство силовых MOSFET-транзисторов HEXFET® с вертикальным расположением затвора транзистора (trench) и высокой плотностью структуры включает устройства с рабочими напряжениями от 40 до 120 В в разнообразных корпусах для поверхностного монтажа. Транзисторы, как со стандартными значениями напряжений, так и с логическими уровнями напряжения управления затвором, устанавливают новый стандарт значения сопротивления в открытом состоянии RDS(ON)для MOSFET-транзисторов в пластмассовых корпусах, предназначенных для применения в автомобильном оборудовании. Могут быть достигнуты следующие эталонные (benchmark) значения RDS(ON): 1,25 мОм (макс.) при 40 В, 2,1 мОм (макс.) при 60 В, 2,6 мОм (макс.) при 75 В и 4 мОм (макс.) при 100 В. Ряд устройств, выполненных в корпусе D2Pak-7P, характеризуется максимальным значением тока до 240 А.

Транзисторы MOSFET компании IR для применения в автомобильном электрооборудовании подвергаются статическим и динамическим испытаниям в сочетании со 100-% автоматической визуальной проверкой на уровне пластин для обеспечения бездефектности продукции. Стандарт AEC-Q101 требует, чтобы сопротивление канала транзистора RDS(ON)изменялось не более чем на 20% после 1000 термоциклов при тестировании. Однако при расширенном тестировании устройств серии AUIRFS максимальное изменение сопротивления RDS(ON)составило менее 10% после 5000 термоциклов, тем самым подтверждая высокое качество и надёжность используемых материалов.

www.prochip.ru

Тел.: (495) 232-2522

На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.