Радиационно-стойкие сдвоенные силовые транзисторы MOSFET в компактном герметичном корпусе LCC-6 для поверхностного монтажа 02.06.2011 Компания International Rectifier, IR®, мировой лидер в технологии управления электропитанием, представила первое семейство радиационно-стойких (RAD-Hard™) сдвоенных силовых транзисторов MOSFET в компактном герметичном корпусе LCC-6 для поверхностного монтажа, предназначеных для применения в маломощных приложениях с небольшим весом, требующих небольшой площади, таких как системы питания аппаратуры целевых систем космических аппаратов.

Компания International Rectifier, IR®, мировой лидер в технологии управления электропитанием, представила первое семейство радиационно-стойких (RAD-Hard) сдвоенных силовых транзисторов MOSFET в компактном герметичном корпусе LCC-6 для поверхностного монтажа, предназначеных для применения в маломощных приложениях с небольшим весом, требующих небольшой площади, таких как системы питания аппаратуры целевых систем космических аппаратов.

Небольшие габариты корпуса LCC-6 (6,2 x 4,3 x 2 мм) способствуют уменьшению площади и веса платы. Новый 60-В логический уровень устройств доступен в конфигурациях: два транзистора с каналом n-типа, два транзистора с каналом p-типа или один транзистор n-типа и один – p-типа, упакованные в корпус LCC-6 с шестью контактными площадками для поверхностного монтажа.

«Объединение двух транзисторов MOSFET в одном небольшом корпусе LCC-6 может заменить два UB- или LCC-3 корпуса, таким образом уменьшить число компонентов, площадь и вес платы в современных маломощных применениях. Кроме того, как транзисторы MOSFET с логическим уровнем, они могут управляться непосредственно от цифровых схем, сокращая число внешних компонентов», – сказал Odile Ronat, менеджер по маркетингу цифровых устройств подразделения высоконадёжных изделий (HiRel) компании International Rectifier.

Новые устройства выполнены с применением проверенной технологии R7 для создания радиационно-стойких (Rad-Hard) транзисторов MOSFET, которые отличаются низким сопротивлением открытого канала (RDS(ON)), быстрым переключением и небольшими размерами, что делает новые MOSFET-транзисторы идеальной альтернативой биполярным приборам.

Поставляются устройства, рассчитанные на суммарную дозу ионизирующего излучения 100 крад (Si) и 300 крад (Si). Гарантируется отсутствие одиночных эффектов от воздействия протонов и ионов с пороговыми линейными потерями в веществе при 82 МэВ?см2/мг, а также доступны устройства коммерческого класса (commercial-off-the-shelf) или с космическим уровнем отбраковки согласно техническим условиям MIL-PRF-1950.

Технические характеристики

www.prochip.ru

Тел.: (495) 232-2522