Microsemi расширила свою линейку транзисторов для радаров S-диапазона, добавив в неё новые компоненты, выполненные по технологии GaN на подложке из SiC. Новые GaN-on-SiC мощные импульсные транзисторы позволяют получить наивысшие в индустрии выходную мощность и усиление для 2,7…3,5-ГГц радаров.
Microsemi расширила свою линейку транзисторов для радаров S-диапазона, добавив в неё новые компоненты, выполненные по технологии GaN на подложке из SiC. Новые GaN-on-SiC мощные импульсные транзисторы позволяют получить наивысшие в индустрии выходную мощность и усиление для 2,7…3,5-ГГц радаров.
Преимущества Microsemi GaN-on-SiC: Vbr стока выше 350 В, что позволяет транзистору работать со смещением стока в 60 В, обеспечивая значительно более высокую надёжность устройства по сравнению с транзисторами, произведенными по LDMOS-технологии. Большее напряжение смещения стока увеличивает пиковую выходную мощность, а более удобные в использовании значения импеданса устройства упрощают согласование.
2735GN-100: диапазон 2,7…3,5 ГГц, мощность 100 Вт, усиление 11 дБ, формат импульса 300 мкс 10%;
2729GN-270: диапазон 2,7…2,9 ГГц, мощность 280 Вт, усиление 13…14 дБ, формат импульса 100 мкс 10%;
2731GN-200: диапазон 2,7…3,1 ГГц, мощность 220 Вт, усиление 12…13 дБ, формат импульса 200 мкс 10%;
2731GN-170: диапазон 3,1…3,5 ГГц, мощность 180 Вт, усиление 11…12 дБ, формат импульса 300 мкс 10%.
Тел.: (812) 324-4008
Комментарии