Карбидокремниевый МОП-транзистор на 1200 В 15.07.2011

Фирма Cree расширяет свое семейство SiC Z-FET на 1200 В. Для оптимизации мощности он может включаться параллельно. МОП-транзистор специфицирован при рабочей температуре 100°C на ток 12 A. Он предназначен для запирающих напряжений до 1,2 В и имеет при температуре 25°C типичное значение RDS(on) 160 мОм.

В отличие от кремниевых элементов с аналогичными параметрами значение RDS(on) у SiC-МОП-транзистора остаётся менее 200 мОм во всём диапазоне рабочих температур. Ток утечки менее 1 мкA. Элемент заменяет кремниевые транзисторы (IGBT), которые в настоящее время применяются в диапазоне от 3 до 10 кВ. CMF10120D имеет корпус TO-247.

www.cree.com