Исследователям из компании Hewlett-Packard удалось совершить небольшой прорыв в технологии устройств памяти следующего поколения, известных как мемристоры. Этот тип памяти считается потенциальной заменой в будущем таким широко известным технологиям, как флэш и DRAM. Мемристоры являются пассивными элементами микросхем наряду с резисторами, конденсаторами и катушками индуктивности. Теоретически мемристоры были предсказаны ещё в 1971 г. профессором Калифорнийского университета в Беркли Леоном Чуа (Leon Chua), но лабораторный образец мемристора впервые был создан только в 2008 г.
В статье, опубликованной в авторитетном научном издании «Нанотехнологии», учёные заявили, что им удалось, наконец, установить, какие процессы происходят в структуре мемристоров при прохождении через них электрического тока, а также химическую основу всего этого. Ранее, несмотря на то что опытные образцы мемристоров уже функционировали и даже сообщались планы начала коммерческого производства, их создателям не было известно, что же в действительности происходит внутри миниатюрных структур. Как утверждают учёные, это открытие позволит существенно улучшить технологию мемристоров.
Для исследования мемристоров специалисты HP использовали узконаправленные пучки рентгеновского излучения для определения канала шириной всего 100 нм, где происходит изменение сопротивления. Память, которая может работать на базе мемристоров, называется ReRAM. Она отличается энергонезависимостью, как флэш-чипы, и при этом по скорости может сравняться с традиционной оперативной DRAM-памятью.
Старший научный сотрудник HP считает, что технология мемристоров может быть поставлена на коммерческие рельсы уже в середине 2013 г. При этом он отметил, что его заявление не является официальным обещанием компании. На данный момент HP уже удалось с использованием мемристоров, 15-нм техпроцесса и четырёхслойного дизайна чипов памяти добиться плотности записи 12 Гб на кв. см.
Комментарии