Samsung начнет выпуск 32-Гб модулей DDR3 на базе 40-нм технологии 15.04.2010

Спустя месяц после начала производства микросхем DDR3-памяти объёмом 4 Гб, изготавливаемых с использованием 40-нм техпроцесса, компания Samsung объявила о предстоящем выпуске первых в мире модулей ёмкостью 32 Гб, созданных на базе этих чипов.

Напомним, что всего год назад Samsung анонсировала выпуск модулей памяти RDIMM (registered dual inline memory modules) стандарта DDR3 ёмкостью 16 Гб на базе чипов объёмом 2 Гб, производимых с помощью 50-нм процесса.

Сейчас компания занимается рассылкой промышленных образцов, с тем чтобы в следующем месяце начать массовое производство модулей DDR3 DRAM ёмкостью 32 Гб.

Новые модули предназначены для использования в серверных системах. Они спроектированы на базе более экономичных микросхем плотностью 4 Гб. Один модуль RDIMM ёмкостью 32 Гб состоит из 36 двухсторонних DDR3 чипов 40-нм класса объёмом 4 Гб.

При замене в двухпроцессорной системе прежних 16-Гб модулей на новые DDR3 DRAM 32-Гб модули объём памяти сервера удвоится и достигнет 384 Гб. При этом рост потребления энергии составит менее 5%. Благодаря новым модулям объём памяти четырёхпроцессорных серверных систем возрастет до 2 Тб.