Фирма Vishay разработала мощный TrenchFET – МОП-транзистор, размещённый в корпусе Chipscale с изоляцией с верхней стороны. Транзистор Si8422DB спроектирован для мощных усилителей, батарейных приложений и приложений выключателей нагрузки в переносных устройствах, таких как мобильные телефоны, PDA, цифровые камеры, MP3-плееры и смартфоны. Изоляционный слой на верхней стороне корпуса предотвращает временные короткие замыкания между верхней стороной корпуса и подвижными частями в мобильных устройствах. 20-Вольтовый n-канальный мощный транзистор Si8422DB имеет базовую поверхность 1,55 x 1,55 мм и монтажную высоту 0,64 мм. Элемент имеет сопротивление в открытом состоянии от 0,043 Ом при 1,8 В напряжения затвор-исток и 0,037 Ом при напряжении затвор-исток 4,5 В максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет ±8 В.
Комментарии