Intel и Micron разработали 34-нм флэш-память с 3 бит на ячейку

Intel и Micron разработали 34-нм флэш-память с 3 бит на ячейку

Компании Intel и Micron Technology анонсировали совместную разработку новой технологии мультиуровневых ячеек (MLC) памяти NAND с 3 бит на каждую ячейку (3-bit-per-cell, 3bpc) в рамках усовершенствования 34-нм техпроцесса. Соответствующие чипы будут использоваться в таких устройствах, как флэш-карты и USB-носители. Проект воплощает совместное предприятие IM Flash Technologies, которое будет выпускать, как сказано в пресс-релизе, самые компактные и рентабельные 32-гигабитные электронные компоненты из доступных в индустрии на сегодняшний день. Предоставляющие такой объём памяти чипы имеют площадь кристалла 126 кв. мм. Массовое производство должно начаться в четвёртом квартале 2009 г.

По словам вице-президента группы Micron Брайана Ширли (Brian Shirley), «Технология 3bpc NAND является важной частью нашей стратегии. Мы также продолжим продвижение по пути уменьшения размеров микросхем NAND». Кроме того, Ширли заявил, что компания намерена до конца этого года представить 2Х-нм технологию. В свою очередь, вице-президент Intel и руководитель подразделения Intel NAND Solutions Group выразил уверенность в дальнейшем прогрессе: «Этот шаг является очередным этапом в продвижении к 2Х-нм техпроцессу, который поможет снизить стоимость и увеличить возможности наших решений на основе NAND».

www.micron.com

На данном сайте используются cookie для сбора информации технического характера и обрабатывается Ваш IP-адрес. Продолжая использовать этот сайт, вы даете согласие на использование файлов cookies.