Спустя несколько дней после анонса 50-нм микросхем DDR3 DRAM, компания Elpida Memory отрапортовала о завершении разработки 50-нм двухгигабитных чипов Mobile DRAM, которые будут выпускаться с использованием 193-нм иммерсионной литографии и технологии медных межсоединений.
Новая память найдёт применение в мобильных телефонах, карманных мультимедийных плеерах, MID и других портативных устройствах. По сравнению с 70-нм решениями, величина рабочего тока для 50-нм чипов уменьшена примерно в два раза, что позволяет удвоить ёмкость памяти без увеличения потребляемой мощности.
50-нм чипы отличаются пропускной способностью 400 Мбит/с (при работе на частоте 200 МГц). При использовании 32-разрядной шины ввода/вывода скорость передачи данных может составлять 1,6 Гб/с. Максимальная производительность достигается при напряжении питания 1,8 В, если же на первое место ставится энергопотребление, то напряжение питания можно снизить до 1,2 В.
Elpida пообещала начать массовое производство новой памяти в первой половине 2009 г.
Digitimes
Вы успешно зарегистрированы. Перейти в личный кабинет

Бесплатная подписка
Для оформления бесплатной подписки на журнал «Современная электроника» вам необходимо заполнить анкету подписчика.
Продолжить Для чтения журнала
Специалистам в области электронных компонентов
подписка предоставляется БЕСПЛАТНО
Для чтения журнала
подпишитесь,
или
купите его
Специалистам в области электронных компонентов
подписка предоставляется БЕСПЛАТНО

Бесплатная подписка для специалистов
Для оформления бесплатной подписки на журнал «Современная электроника» вам необходимо заполнить анкету подписчика.
ПродолжитьПодписка на ПЕЧАТНУЮ версию с гарантированной доставкой для юридических лиц платная и осуществляется через её покупку в магазине.
