29.01.2009

Спустя несколько дней после анонса 50-нм микросхем DDR3 DRAM, компания Elpida Memory отрапортовала о завершении разработки 50-нм двухгигабитных чипов Mobile DRAM, которые будут выпускаться с использованием 193-нм иммерсионной литографии и технологии медных межсоединений.
Новая память найдёт применение в мобильных телефонах, карманных мультимедийных плеерах, MID и других портативных устройствах. По сравнению с 70-нм решениями, величина рабочего тока для 50-нм чипов уменьшена примерно в два раза, что позволяет удвоить ёмкость памяти без увеличения потребляемой мощности.
50-нм чипы отличаются пропускной способностью 400 Мбит/с (при работе на частоте 200 МГц). При использовании 32-разрядной шины ввода/вывода скорость передачи данных может составлять 1,6 Гб/с. Максимальная производительность достигается при напряжении питания 1,8 В, если же на первое место ставится энергопотребление, то напряжение питания можно снизить до 1,2 В.
Elpida пообещала начать массовое производство новой памяти в первой половине 2009 г.
Digitimes