Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) представила, по её утверждениям, первые в отрасли производственные линии, позволяющие выпускать чипы по 40-нм нормам. Этот этап совершенствования техпроцессов рассматривается как промежуточный и упрощающий дальнейший переход к основной на сегодняшний день цели – освоению 32-нм норм, – намеченный компанией на окончание следующего года. Для TSMC переход к более «тонким» техпроцессам с «промежуточными остановками», похоже, становится правилом – так, прежде чем перейти от 65-нм к 45-нм, компания какое-то время выпускала полупроводниковую продукцию по 55-нм нормам. По мнению специалистов, за счёт такой стратегии TSMC снижает свои риски, связанные с модернизацией производства и обеспечением достаточного количества заказов для окупаемости новых линий, в то же время обеспечивая сохранение лидирующих позиций в отрасли.
Фактически анонсированное производство представляет собой два техпроцесса – 40G, предназначенный для широкого применения, и 40LP, для производства продукции с требованиями к пониженному энергопотреблению. Сообщается, что построенная по новой технологии ячейка SRAM является на текущий момент самой маленькой в отрасли: 0,242 кв. мкм. Новый техпроцесс по сравнению с 65-нм нормами обеспечивает увеличение плотности размещения компонентов в 2,35 раза, а переход с 45-нм на 40-нм позволяет снизить показатели энергопотребления на 15%. Предполагается, что на базе 40LP будут производиться компоненты беспроводных и портативных устройств, тогда как 40G будет ориентирован на высокопроизводительные компоненты – центральные и графические процессоры, чипы для игровых консолей, сетевого оборудования и FPGA.
Комментарии