На конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), по традиции, одним из главных докладчиков станет компания Intel, представители которой планируют раскрыть детали своего 32-нм технологического процесса для изготовления высокопроизводительных микропроцессоров. Согласно предварительной информации, разработчикам компании удалось создать тестовую интегральную микросхему статической SRAM-памяти ёмкостью 291 Мбит, причём площадь ячейки составляет 0,171 кв. мкм. При этом устройство содержит примерно 2 млрд. транзисторов. Микросхема функционирует на частоте 3,8 ГГц при рабочем напряжении 1,1 В.
Для изготовления интегральных микросхем по 32-нм технологическому процессу разработчики рассчитывают использовать иммерсионную литографию, причём соответствующее оборудование будет приобретаться у японской компании Nikon. Помимо этого используются такие технологии, как технология изготовления затворов с использованием металлических материалов и high-k-материалов, формирование многослойных диэлектрических структур и пр.
Среди остальных докладов есть не менее интересные темы, например, технология изготовления CMOS-микросхем с интегрированными RF-элементами с применением транзисторов на основе фосфида индия, разработанная сотрудниками исследовательской лаборатории HRL Laboratories. Главное преимущество такого подхода - повышение скоростных показателей микросхем по сравнению с традиционными кремниевыми устройствами. Однако их существенным недостатком является сложность в изготовлении и высокая стоимость по сравнению с кремниевыми аналогами.
Интересным обещает быть и доклад сотрудников Университета Тохоку (Tohoku University), в котором будет затронута тема применения элементов на основе магнитного туннельного перехода для создания блоков хранения информации в микропроцессорах с 3D-структурой высокой плотности.
eetimes.com
Комментарии