серийного изготовления интегральных микросхем флэш-памяти по 34-нм технологическому процессу. Устройства базируются на многоуровневой архитектуре ячейки NAND-памяти (MLC), причем ёмкость микросхем составляет 32 Гбит. Разработка указанной продукции велась сотрудниками обоих компаний.
Новинки изготавливаются из 300-мм кремниевых пластин, причём площадь микросхемы составляет всего лишь 172 кв. мм, что позволяет использовать их в таких аппаратах, как мобильные телефоны, компактные фотокамеры, музыкальные плееры. Не стоит забывать и о таком классе устройств, как твердотельные накопители, где применение новейших микросхем обещает повышение их вместительности, а переход на более совершенный техпроцесс - снижение цены единицы дискового пространства SSD-накопителей.
В следующем году совместное предприятие Intel и Micron, компания IM Flash Technologies, планирует начать поставки образцов MLC-решений невысокой ёмкости и SLC-микросхем, изготовленных также с применение 34-нм техпроцесса.
Согласно официальному заявлению обеих компаний, разработка 34-нм NAND-микросхем проходит с опережением составленного графика. При этом одна из фабрик, расположенная в Израиле, уже к концу текущего года будет наполовину переведена на выпуск 34-нм продукции - доля соответствующей продукции завода уже к концу текущего года составит около 50% от общего числа изготовляемых микрочипов.
intel.com
Комментарии