Компания Cree объявила о начале серийного производства новых кристаллов SiC-диодов Шоттки по технологии Zero Recovery® с прямым током 50 А и постоянным напряжением 1200 В. Новое поколение кристаллов CPW2-1200S050 позволяет достичь принципиально нового уровня эффективности силовых инверторов. Компания Cree объявила о начале серийного производства новых кристаллов SiC-диодов Шоттки по технологии Zero Recovery® с прямым током 50 А и постоянным напряжением 1200 В. Новое поколение кристаллов CPW2-1200S050 позволяет достичь принципиально нового уровня эффективности силовых инверторов.
Основные области применения приборов на основе SiC-кристаллов CPW2-1200S050:
- генераторы для индукционного нагрева;
- промышленные приводы с преобразованием частоты;
- инверторы для электростанций, использующих энергию солнца и ветра;
- приводы электромобилей и автомобилей с гибридными двигателями.
В сравнении с традиционными кремниевыми диодами, SiC-диоды Шоттки обеспечивают радикальное снижение потерь мощности, упрощают решение вопросов электромагнитной совместимости и позволяют значительно увеличить надёжность изделий силовой электроники.При изготовлении новых кристаллов CPW2-1200S050 используются SiC-подложки диаметром 100 мм с ультранизкой плотностью дефектов. Размер кристаллов составляет 8,2 ґ 4 мм.Поставка SiC-кристаллов для силовой электроники CPW2-1200S050 на территории России и стран СНГ возможна со второго квартала 2007 г.
Тел. (495) 232-2522
Комментарии