Память следующего поколения на «скоростных» нанотрубках 29.03.2007

В январе 2002 г. ученые Каньшуй Чжен (Quanshui Zheng) из университета Цинхуа (Tsinghua University) в Пекине и Кин Цзян (Qing Jiang) из Калифорнийского университета опубликовали интересную работу Multiwalled Carbon Nanotubes as Gigahertz Oscillators. Исследователи установили, что группа концентрических нанотрубок, вложенная внутрь другого набора трубок, может скользить назад и вперед со скоростью порядка миллиард раз в секунду, т.е. с частотой, исчисляемой гигагерцами. Такие нанотрубки получили название «скоростных», или телескопических.

На этом явлении основана новая разработка группы учёных под руководством уже известного нам Кина Цзяна и Йона Вон Кана (Jeong Won Kang). Сообщается, что новый тип памяти объединяет в себе скорость RAM и при этом имеет все преимущества энергонезависимой памяти. Исследователи спроектировали накопитель на основе энергонезависимой памяти ёмкостью 1 терабит. Отмечается, что плотность нового типа памяти будет значительно превосходить все существующие на сегодняшний день кремниевые решения. В общих чертах понять суть новой разработки можно из нижеприведенного рисунка. Как видите, в нанотрубку помещают другую нанотрубку значительно меньшего диаметра. Эта внутренняя нанотрубка получила название «телескоп». Эта система помещается между двумя нейтрально заряженными электродами. При зарядке одного электрода зарядом одного знака, а «телескопа» - зарядом противоположного знака внутренняя нанотрубка начинает притягиваться к соответственному электроду. Происходит это явление под действием сил Ван-дер-Ваальса, которые хорошо известны из университетского курса физики. Особо отмечается устойчивость состояний в положении «возле электрода», которые сохраняются после окончания действия электрического поля. Для создания электродов использовалась платина. Исследователи достигли впечатляющих результатов: переключение состояний осуществлялось всего за 10-11 с, а стирание данных с одной ячейки памяти происходит за 10-12 с. Учёные своими заявлениями внушают оптимизм относительно будущего нового типа памяти, но остаются нерешёнными ещё ряд проблем. К примеру, эксперименты успешно проходили только при очень низкой температуре в 1°К (-272,5°C). Так что о сроках получения первого, работающего при комнатной температуре образца, не говоря уже о коммерциализации новой технологии, говорить пока не приходится.

physorg.com